ZHCSTT1C November   2023  – October 2024 LMK3H0102

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
    2. 6.2 差分电压测量术语
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 运行
        2. 7.4.2.2 边缘组合器
        3. 7.4.2.3 数字状态机
        4. 7.4.2.4 展频时钟
        5. 7.4.2.5 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
          1. 7.4.3.1.1 输出格式类型
            1. 7.4.3.1.1.1 LP-HCSL 端接
        2. 7.4.3.2 输出压摆率控制
        3. 7.4.3.3 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出使能
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器(地址 = 0x0)[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器(地址 = 0x1)[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器(地址 = 0x2)[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器(地址 = 0x3)[复位 = 0x1801]
      5. 8.1.5  R4 寄存器(地址 = 0x4)[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器(地址 = 0x5)[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器(地址 = 0x6)[复位 = 0x2AA0]
      8. 8.1.8  R7 寄存器(地址 = 0x7)[复位 = 0x6503]
      9. 8.1.9  R8 寄存器(地址 = 0x8)[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器(地址 = 0x9)[复位 = 0x3166]
      11. 8.1.11 R10 寄存器(地址 = 0xA)[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器(地址 = 0xB)[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器(地址 = 0xC)[复位 = 0x6800]
      14. 8.1.14 R146 寄存器(地址 = 0x92)[复位 = 0x0000]
      15. 8.1.15 R147 寄存器(地址 = 0x93)[复位 = 0x0000]
      16. 8.1.16 R148 寄存器(地址 = 0x94)[复位 = 0x0000]
      17. 8.1.17 R238 寄存器(地址 = 0xEE)[复位 = 0x0000]
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例:更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
      6. 9.2.6 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RER|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

展频时钟

FOD0 支持展频时钟 (SSC)。SSC 可用于通过调制输出频率来降低峰值辐射发射。SSC_EN (R4[0]) = 1 时,源自 FOD0 的任何输出都具有 SSC。SSC_MOD_TYPE (R4[1]) 在向下展频调制 (SSC_MOD_TYPE = 0) 或中心展频调制 (SSC_MOD_TYPE = 1) 之间进行选择。LMK3H0102 具有四个内置向下展频 SSC 选项以及一个自定义 SSC 选项。SSC_CONFIG_SEL (R9[11:9]) 在自定义选项或预配置选项之间进行选择。预配置选项针对 FOD0 的 200MHz 输出进行了优化。表 7-4 详细介绍了预配置 SSC 选项的寄存器设置。预配置 SSC 选项针对 FOD0 的 200MHz 输出进行了优化。如果使用边缘组合器,则必须禁用展频时钟。

表 7-4 预定义的 SSC 配置
SSC_CONFIG_SEL向下展频 SSC 深度
0x0自定义,基于 SSC_STEPS 和 SSC_STEP_SIZE
0x1-0.10%
0x2-0.25%
0x3-0.30%
0x4-0.50%
所有其他值保留

如果选择自定义 SSC,则必须配置 SSC_STEPS (R4[14:2]) 和 SSC_STEP_SIZE (R5) 来设置调制深度。使用方程式 5方程式 6 来确定 SSC_STEPS (R4[14:2]) 寄存器设置,使用方程式 7方程式 8 来确定 SSC_STEP_SIZE (R5) 设置。方程式 7 用于向下展频 SSC,方程式 8 用于中心展频 SSC。

方程式 5. Down-spread: SSC_STEPS = int((FFOD0/FMOD)/2)
方程式 6. Center-spread: SSC_STEPS = int((FFOD0/FMOD)/4)

其中:

  • FFOD0:FOD0 频率
  • FMOD:调制频率,对 PCIe 应用使用 31.5kHz

方程式 7. SSC_STEP_SIZE=floor((F_BAW/F_FOD0 *(1/(1-SSC_DEPTH )-1))/(SSC_STEPS)*DEN)
方程式 8. S S C _ S T E P _ S I Z E = f l o o r ( ( F _ B A W / F _ F O D 0   * ( 1 / ( 1 - S S C _ D E P T H   ) - 1 / ( 1 + S S C _ D E P T H ) ) ) / ( 2 * S S C _ S T E P S ) * D E N )

其中:

  • SSC_STEP_SIZE:SSC 每阶跃的分子增量值
  • FBAW:BAW 频率,2467MHz。请注意,FBAW 值因器件而异。
  • SSC_DEPTH:调制深度,表示为正值。如果使用 –0.5% 深度,则该值为 0.005
  • SSC_STEPS:对于向下展频,结果来自方程式 5,或者对于中心展频,结果来自方程式 6
  • DEN:分数分母,224

如果在一个输出上混合使用 SSC,而在另一输出上不使用 SSC,则两个输出之间可能会出现串扰。仅在单个输出上配置 SSC 时,请联系 TI 以申请特定配置的测量数据。

修改 SSC 设置时,在配置其他 SSC 设置之前,请勿将 SSC_EN 设置为“1”。请按照以下步骤配置 SSC:

  1. 将 PDN 设置为“1”。
  2. 将 OTP_AUTOLOAD_DIS 设置为“1”。
  3. 根据需要修改 SSC_MOD_TYPE、SSC_STEP_SIZE 和 SSC_STEPS。
  4. 将 SSC_EN 设置为“1”。
  5. 将 PDN 设置为“0”。