ZHCSR43 December 2023 LMK5C33216A
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电流消耗特性 | ||||||
IDD_TOT | 指定配置下的总电流消耗 | OUT0 至 OUT15 为 245.76MHz,LVDS/HSDS 400mV,APLL3 后分频器 = 5,通道分频器 = 2,禁用 DPLL1/2 和 APLL1/2 | 950 | 1040 | mA | |
OUT0 至 OUT15 为 245.76MHz,HSDS 800mV,APLL3 后分频器 = 5,通道分频器 = 2,禁用 DPLL1/2 和 APLL1/2 | 1090 | 1200 | mA | |||
OUT0 至 OUT3、OUT14 和 OUT15 (APLL1) 为 100MHz,OUT4 至 OUT7 (APLL2) 为 312.5MHz,OUT8 至 OUT13 (APLL3) 为 491.52MHz,HSDS 800mV,禁用 DPLL1/2/3 | 1205 | 1315 | mA | |||
IDD-XO | XO 输入电流消耗 | XO | 3.5 | mA | ||
IDD-XO2X | 每个 XO 倍频器的电流消耗 | XO 倍频器(1) | 0.3 | mA | ||
IDD-INX | 每个 DPLL 基准输入块的内核电流消耗 | IN0 | 3.6 | mA | ||
IN1 | 3.1 | mA | ||||
IDD-DPLL | 每个 DPLL 的电流消耗 | DPLL(2) | 55 | mA | ||
IDD-APLL1 | APLL1 电流消耗 | APLL1 | 90 | mA | ||
IDD-APLL2 | APLL2 电流消耗 | APLL2 | 160 | mA | ||
IDD-APLL3 | APLL3 电流消耗 | APLL3 | 120 | mA | ||
IDD-ANA | 模拟偏置电流消耗 | VDD_APLL1_XO 电源引脚的模拟电路。器件启用时始终开启。 | 42 | mA | ||
IDD-DIG | 数字控制电流消耗 | VDD_DIG 电源引脚的数字控制电路。器件启用时始终开启。 | 34 | mA | ||
IDDO-CHDIV | 每个通道分频器块的电流消耗 | 12 位通道分频器 | 20 | mA | ||
IDDO-1PPSDIV | 每个 1PPS/SYSREF 分频器块的电流消耗 | 20 位 1PPS/SYSREF 分频器 | 12 | mA | ||
IDDO-DELAY | 每个 1PPS/SYSREF 模拟延迟块的电流消耗 | 启用模拟延迟功能 | 10 | mA | ||
IDDO-HSDS | 每个输出驱动器的 HSDS 电流消耗 | HSDS 缓冲器(VCM 电平 = s1,Iout = 4mA,100Ω 终端) | 19 | mA | ||
HSDS 缓冲器(VCM 电平 = s1,Iout = 7mA,100Ω 终端) | 22 | mA | ||||
HSDS 缓冲器(VCM 电平 = s1,Iout = 10mA,100Ω 终端) | 25 | mA | ||||
IDDO-HCSL | 每个输出驱动器的 HCSL 电流消耗 | HCSL 输出(每侧 50Ω 终端) | 30.5 | mA | ||
IDD_PD | 断电电流消耗 | 器件断电,PD# = 低电平 | 90 | 110 | mA | |
基准输入特性 (INx) | ||||||
fIN | INx 频率范围 | 单端输入 | 0.5E–6 | 200 | MHz | |
差分输入 | 5 | 800 | ||||
VIH | 单端输入高电压 | 直流耦合输入模式 (3) | 1.2 | VDD + 0.3 | V | |
VIL | 单端输入低电平 | 0.5 | V | |||
VIN-SE-PP | 单端输入电压摆幅 | 交流耦合输入模式 (4) | 0.4 | 2 | Vpp | |
VIN-DIFF-PP | 差分输入电压摆幅 | 交流或直流耦合输入 (5) | 0.4 | 2 | Vpp | |
VICM | 输入共模 | 直流耦合差分输入 (6) | 0.1 | 2 | V | |
dV/dt | 输入压摆率 | 单端输入 | 0.2 | 0.5 | V/ns | |
差分输入 | 0.2 | 0.5 | V/ns | |||
IDC | 输入时钟占空比 | 非 1PPS 信号 | 40 | 60 | % | |
tPULSE-1PPS | 输入的 1PPS 脉冲宽度 | 1PPS 或脉冲信号 | 100 | ns | ||
IIN-DC | 直流输入漏电流 | 单引脚 INx_P 或 INx_N,禁用 50Ω 和 100Ω 内部终端,启用或禁用交流耦合模式 | -350 | 350 | µA | |
CIN | 输入电容 | 单端,每个引脚 | 2 | pF | ||
XO/TCXO 输入特性 (XO) | ||||||
fCLK | XO 输入频率范围 (7) | 10 | 156.25 | MHz | ||
VIH | LVCMOS 输入高电压 | 直流耦合输入模式 (8) | 1.4 | VDD + 0.3 | V | |
VIL | LVCMOS 输入低电压 | 0.8 | V | |||
VIN-SE | 单端输入电压摆幅 | 交流耦合输入模式 (9) | 0.4 | VDD + 0.3 | Vpp | |
dV/dt | 输入压摆率 | 0.2 | 0.5 | V/ns | ||
IDC | 输入占空比 | 40 | 60 | % | ||
IIN-DC | 直流输入漏电流 | 单引脚 XO_P,禁用 50Ω 和 100Ω 内部终端 | -350 | 350 | µA | |
CIN | 每个引脚上的输入电容 | 1 | pF | |||
CEXT | 外部交流耦合电容 | 10 | nF | |||
APLL/VCO 特性 | ||||||
fPFD | PFD 频率范围 | APLL3 分数反馈分频器 | 110 | MHz | ||
APLL1、APLL2 分数反馈分频器 | 125 | MHz | ||||
fVCO1 | VCO1 频率范围 | 4800 | 5350 | MHz | ||
fVCO2 | VCO2 频率范围 | 5595 | 5950 | MHz | ||
fVCO3 | VCO3 频率范围 | 2433 | 2457.6 | 2482.2 | MHz | |
tAPLL1-LOCK | APLL1 锁定时间 | 软/硬复位与稳定 APLL1 输出之间的时间。 | 20 | 35 | ms | |
tAPLL2-LOCK | APLL2 锁定时间 | 软/硬复位与稳定 APLL2 输出之间的时间。 | 350 | 460 | ms | |
tAPLL3-LOCK | APLL3 锁定时间 | 软/硬复位与稳定 APLL3 输出之间的时间。 | 12.5 | 13 | ms | |
HSDS 输出特性 (OUTx) | ||||||
fOUT | 输出频率范围 | 1E–6 | 1250 | MHz | ||
VOUT-DIFF | 差分输出摆幅 | 2×VOD-HSDS | mVpp | |||
VOD-HSDS | HSDS 输出电压摆幅 | fout < 100MHz,Iout = 4mA | 350 | 400 | 440 | mV |
fout < 100MHz,Iout = 7mA | 625 | 700 | 750 | mV | ||
fout < 100MHz,Iout = 10mA | 900 | 975 | 1050 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 4mA | 335 | 400 | 445 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 5mA | 425 | 500 | 575 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 6mA | 510 | 600 | 690 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 7mA | 595 | 700 | 805 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 8mA | 680 | 800 | 920 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 9mA | 765 | 900 | 1035 | mV | ||
100MHz ≤ fout ≤ 325MHz,Iout = 10mA | 850 | 1000 | 1150 | mV | ||
325MHz < fout ≤ 800MHz,Iout = 4mA | 300 | 350 | 400 | mV | ||
325MHz < fout ≤ 800MHz,Iout = 7mA | 580 | 640 | 700 | mV | ||
325MHz < fout ≤ 800MHz,Iout = 10mA | 800 | 865 | 940 | mV | ||
800MHz < fout ≤ 1250MHz,Iout = 4mA | 235 | 320 | 400 | mV | ||
800MHz < fout ≤ 1250MHz,Iout = 7mA | 480 | 625 | 740 | mV | ||
800MHz < fout ≤ 1250MHz,Iout = 10mA | 600 | 800 | 1000 | mV | ||
VOH | 输出电压高电平 | VOL + VOD | mVpp | |||
VOL | 输出电压低电平 | VCM 电平 = s1 | 50 | 150 | 250 | mV |
VCM 电平 = s2+3 | 300 | 470 | 720 | mV | ||
VCM | 输出共模电压 | VCM 电平 = s1 或 s2+3 | VOL + VOD/2 | V | ||
VCM 电平 = s2,Iout = 4mA | 0.6 | 0.7 | 0.8 | V | ||
VCM 电平 = s3,Iout = 4mA | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V | ||
tSKEW | 输出偏斜 (12) | 相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,相同的组 | 50 | ps | ||
相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,组之间 | 80 | ps | ||||
tR/tF | 上升/下降时间 | fOUT < 100MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 200 | 250 | 350 | ps |
100MHz ≤ fOUT ≤ 325MHz,20% 至 80%,Iout ≥ 8mA,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 165 | 225 | 260 | ps | ||
100MHz ≤ fOUT ≤ 325MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 175 | 230 | 300 | ps | ||
325MHz < fOUT ≤ 800MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 150 | 215 | 285 | ps | ||
800MHz < fOUT ≤ 1250MHz,20% 至 80%,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 120 | 205 | 250 | ps | ||
ODC | 输出占空比 | 48 | 52 | % | ||
HCSL 输出特性 (OUTx) | ||||||
fOUT | 输出频率范围 | HSCL 输出模式 | 25 | 100 | 650 | MHz |
VOL | 输出电压低电平 | -150 | 0 | 150 | mV | |
VOH | 输出电压高电平 | 600 | 750 | 900 | mV | |
VMIN | 输出电压最小值 | 包括下冲 | –300 | 0 | 150 | mV |
VMAX | 输出电压最大值 | 包括过冲 | 600 | 750 | 1150 | mV |
dV/dt | 差分输出压摆率 | 中心点附近 ±150mV,OUT_x_CAP_EN = 1,CL = 2pF | 2 | 4 | V/ns | |
dV/dt | 差分输出压摆率 | 中心点附近 ±150mV,OUT_x_CAP_EN = 0,CL = 2pF | 3 | 5 | V/ns | |
tSKEW | 输出偏斜 (12) | 相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,相同的组 | 50 | ps | ||
相同的 APLL,相同的后分频器和通道分频器值,组之间 | 80 | ps | ||||
VCROSS | 绝对电压交叉点 | fOUT = 100MHz | 300 | 500 | mV | |
ΔVCROSS | 电压交叉点变化 | fOUT = 100MHz | 75 | mV | ||
ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
1.8V LVCMOS 输出特性 (OUT0/1) | ||||||
fOUT | 输出频率范围 | 1E–6 | 200 | MHz | ||
VOH | 输出高电压 | IOH = -2mA | 1.5 | V | ||
VOL | 输出低电压 | IOL = 2mA | 0.2 | V | ||
tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20%至80% | 150 | ps | ||
tSK | 输出到输出偏斜 | OUT0_P、OUT0_N、OUT1_P、OUT1_N 具有相同的极性,相同的 APLL 后分频器和输出分频器值。相同的极性和输出类型 (LVCMOS) | 60 | ps | ||
相同的 APLL,相同的后分频器和输出分频器值。LVCMOS 和差分输出之间的偏斜 | 0.7 | 1 | 1.3 | ns | ||
ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
R输出 | 输出阻抗 | 54 | 64 | 75 | Ω | |
2.65V LVCMOS 输出特性 (OUT0/1) | ||||||
fOUT | 输出频率范围 | 1E–6 | 200 | MHz | ||
VOH | 输出高电压 | IOH = -2mA | 2.3 | V | ||
VOL | 输出低电压 | IOL = 2mA | 0.2 | V | ||
tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20%至80% | 150 | ps | ||
tSK | 输出到输出偏斜 | OUT_P、OUT0_N、OUT1_P、OUT1_N 具有相同的极性,相同的 APLL 后分频器和输出分频器值。相同的极性和输出类型 (LVCMOS) | 60 | ps | ||
相同的 APLL,相同的后分频器和输出分频器值。LVCMOS 和差分输出之间的偏斜 | 0.7 | 1.0 | 1.3 | ns | ||
PNFLOOR | 输出相位噪底 (fOFFSET > 10MHz) |
25MHz | -155 | dBc/Hz | ||
ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
R输出 | 输出阻抗 | 40 | 50 | 65 | Ω | |
3.3V LVCMOS GPIO 时钟输出特性 (GPIO0/1/2) | ||||||
fOUT | 最大输出频率 | GPIO1、GPIO2 | 25 | MHz | ||
VOH | 输出高电压 | IOH = 2mA | 2.4 | V | ||
VOL | 输出低电压 | IOL = 2mA | 0.4 | V | ||
IIH | 输入高电流 | VIN = VDD | 100 | µA | ||
IIL | 输出低电平电流 | VIN = 0V | -100 | µA | ||
tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80%,1kΩ 至 GND | 0.5 | 1.3 | 2.6 | ns |
tSK | 输出到输出偏斜 | 相对于 OUT0_P、OUT0_N、OUT1_P、OUT1_N CMOS 输出的 GPIO1、GPIO2 输出偏斜。GPIOx_SEL = 115 fout = 100kHz |
7.5 | 11 | ns | |
ODC | 输出占空比 | 45 | 55 | % | ||
R输出 | 输出阻抗 | 35 | 42 | 50 | Ω | |
PLL 输出时钟噪声特性 | ||||||
RJAPLL3 | APLL3 输出的 12kHz 至 20MHz 积分 RMS 抖动 | XO = 48MHz,fout = 1222.8MHz,后分频器 P1APLL3 = 2,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV | 45 | fs | ||
XO = 48MHz,fout = 614.4MHz,后分频器 P1APLL3 = 4,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV | 35 | 50 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 491.52MHz,后分频器 P1APLL3 = 5,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV | 40 | 57 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 245.76MHz,后分频器 P1APLL3 = 10,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV | 45 | 64 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 245.76MHz,旁路掉后分频器 P1APLL3 = 1,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (10) | 50 | 62 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 122.88MHz,旁路掉后分频器 P1APLL3 = 1,HSDS 输出 VOD ≥ 800mV (10) | 55 | 86 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 245.76MHz,HSDS 输出,所有 VOD 电平 | 50 | 80 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 122.88MHz,HSDS 输出,所有 VOD 电平,不包括 OUT14 和 OUT15(17) | 60 | 90 | fs | |||
RJAPLL3 | APLL3 输出的 12kHz 至 20MHz 积分 RMS 抖动 | XO = 48MHz,fout = 122.88MHz,HSDS 输出,所有 VOD 电平,仅限 OUT14 和 OUT15 | 80 | 119 | fs | |
RJAPLL2 | APLL2 输出的 12kHz 至 20MHz 积分 RMS 抖动 | XO = 48MHz,APLL2 的 fout = 153.6MHz (VCO2 = 5836.8MHz)、155.52MHz (VCO2 = 5598.72MHz)、174.703084MHz (VCO2 = 5765.2MHz) 或 184.32MHz (VCO2 = 5898.24MHz)。 HSDS 输出,OUT4、OUT5、OUT6 和 OUT7 或 OUT2 和 OUT3 的 VOD ≥ 800mV。在所有其他输出组中,APLL3 输出为 156.25MHz。 |
110 | 150 | fs | |
XO = 48MHz,fout = 161.1328125MHz 或 322.265625MHz (VCO2 = 5800.78125MHz),或 APLL2 的 212.5MHz (VCO2 = 5950MHz)。 HSDS 输出,OUT4、OUT5、OUT6 和 OUT7 的 VOD ≥ 800mV。在所有其他输出组中,APLL3 输出为 156.25MHz。 |
110 | 150 | fs | |||
XO = 48MHz,fout = 156.25MHz 或 125MHz (VCO2 = 5625MHz),或 APLL2 的 100MHz (VCO2 = 5600MHz)。HSDS 输出,OUT4、OUT5、OUT6 和 OUT7 或 OUT2 和 OUT3 的 VOD ≥ 800mV。在所有其他输出组中,APLL3 输出为 156.25MHz。 | 110 | 150 | fs | |||
RJAPLL1 | APLL1 输出的 12kHz 至 20MHz 积分 RMS 抖动 | XO = 48MHz,fout ≥ 100MHz,HSDS 输出缓冲器 VOD ≥ 800mV | 200 | 300 | fs | |
PSNRVDDO_0_1 | 电源噪声抑制 VDD_0_1 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
PSNRVDDO_2_3 | 电源噪声抑制 VDD_2_3 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
PSNRVDDO_4_7 | 电源噪声抑制 VDDO_4_7 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -110 | dBc | ||
PSNRVDDO_8_13 | 电源噪声抑制 VDDO_8_13 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -110 | dBc | ||
PSNRVDDO_14_15 | 电源噪声抑制 VDDO_14_15 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -110 | dBc | ||
PSNRVDD_APLL1_XO | 电源噪声抑制 VDD_APLL1_XO | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -100 | dBc | ||
PSNRVDD_APLL2 | 电源噪声抑制 VDD_APLL2 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
PSNRVDD_APLL3 | 电源噪声抑制 VDD_APLL3 | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -105 | dBc | ||
PSNRVDD_DIG | 电源噪声抑制 VDD_DIG | Vcc = 3.3V,VN = 50mVpp,HSDS、LVDS 或 LVPECL 输出。(12) | -120 | dBc | ||
PCIe 抖动特性 | ||||||
JPCIE-Gen1-CC | PCIe 第 1 代 (2.5GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 0.8 | 5 | ps p-p | |
JPCIE-Gen2-CC | PCIe 第 2 代 (5.0GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 85 | 250 | fs RMS | |
JPCIe-Gen3-CC | PCIe 第 3 代 (8GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 25 | 100 | fs RMS | |
JPCIe-Gen4-CC | PCIe 第 4 代 (16GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 25 | 100 | fs RMS | |
JPCIe-Gen5-CC | PCIe 第 5 代 (64GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 9 | 50 | fs RMS | |
JPCIe-Gen6-CC | PCIe 第 6 代 (32GT/s) 通用时钟抖动 | APLL2 或 APLL1 输出,3 倍噪声折叠 | 6 | 40 | fs RMS | |
DPLL 特性 | ||||||
fTDC | DPLL1 的 TDC 速率范围 | 1E–6 | 26 | MHz | ||
dφ/dt | 切换期间的相位转换 | 可编程范围 | 695 | ns/s | ||
DPLL-BW | DPLL 环路带宽 | 可编程环路带宽(16) | 1E–3 | 4000 | Hz | |
JPK | DPLL 闭环抖动峰值 | 0.1 | dB | |||
JTOL | 抖动容差 | 符合 G.8262 选项 1 和 2 标准。抖动调制 = 10Hz,25.78152Gbps 线路速率 | 6455 | UI p-p | ||
DCO 特性 | ||||||
fDCO-DPLL | DPLL DCO 频率调谐范围 | DPLL1 | -200 | 200 | ppm | |
fDCO-APLL | DCO 频率调谐范围 | 处于保持状态或仅 APLL 运行状态。 | -200 | 200 | ppm | |
APLL2 处于保持状态或仅 APLL 运行状态。 | -1000 | 1000 | ppm | |||
零延迟模式 (ZDM) 特性 | ||||||
tDLY-ZDM | 启用 ZDM 时的输入至输出传播延迟 | OUT0,fIN ≤ fTDC_MAX,fOUT ≤ fTDC_MAX,DPLLx_PH_OFFSET = 172500 | 150 | ps | ||
tDLY-VAR-ZDM | 启用 ZDM 时的输入至输出传播延迟变化 | OUT0,fIN ≤ fTDC_MAX,fOUT ≤ fTDC_MAX,DPLLx_PH_OFFSET = 0 | 65 | ±ps | ||
1PPS 基准特性 | ||||||
tDPLL_FL | 采用 1PPS 基准时的 DPLL 频锁时间 | XO = 48MHz,初始误差 = ±25ppb,-180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz,频锁 Δfout ≤ ±4.6ppm | 5 | 6 | s | |
tDPLL_PL | 采用 1PPS 基准时的 DPLL 相锁时间 | XO = 48MHz,初始误差 = ±25ppb,-180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz,DPLL LBW = 10mHz,相锁 ≤ ±100ns | 34 | 38 | s | |
无中断切换特性 | ||||||
tHIT | 切换期间的相位瞬变 | INx = 1Hz,INy = 1Hz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz。 | 4 | ±ps | ||
INx = 8kHz,INy = 8kHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 19 | ±ps | ||||
Nx = 25MHz,INy = 25MHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 1.8 | ±ps | ||||
fHIT | 切换期间的频率瞬变 | INx = 1Hz,INy = 1Hz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 10mHz | 0.85 | ±ppb | ||
INx = 8kHz,INy = 8kHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 0.45 | ±ppb | ||||
INx = 25MHz,INy = 25MHz,已锁频。INx 和 INy 相对相位偏移 -180° ≤ Θ ≤ 180°。DPLL LBW = 1Hz | 0.63 | ±ppb | ||||
可编程输出延迟特性 | ||||||
tANA-DLY | 模拟延迟步长 (13) | APLL3 = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 2,0.5 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 2 | 13.13 | ps | ||
APLL3 = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 1,2 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 5 | 26.25 | ps | ||||
APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 3,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3 | 17.2 | ps | ||||
APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 4,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 4 | 22.9 | ps | ||||
tANA-DLY-ERR | 模拟延迟步长误差 | APLL3 = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 2,0.5 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 2 | -6.56 | 6.56 | ps | |
APLL3 = 2457.6MHz,VCO 后分频器 = 1,2 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 122.88MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 5 | -13.13 | 13.13 | ps | |||
APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 3,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3 | -8.6 | 8.6 | ps | |||
APLL2 = 5625.0MHz,VCO 后分频器 = 4,1 倍范围标度,1Hz ≤ OUTx ≤ 156.25MHz,ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 4 | -11.45 | 11.45 | ps | |||
tANA-DLY-RANGE | 模拟延迟范围 | 31 × tANA-DLY | ps | |||
tANA-DLY-ACC | 模拟延迟精度 | 在模拟延迟范围内任何设置 N = 0 至 31 的模拟延迟绝对精度。ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3、4、5 时,实际值相对于预期值 N × tANA-DLY-STEP 的最坏情况误差 | -25 | 25 | ps | |
tANA-DLY-LIN | 模拟延迟线性度 (14) | ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 2 | 333 | 450 | ps | |
ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 3 | 450 | 600 | ps | |||
ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 4 | 600 | 750 | ps | |||
ANA_DELAY_LINEARITY_CODE = 5 | 750 | 1050 | ps | |||
tDIG-DLY | 数字延迟步长 | VCO 后分频器频率输出 = 2457.6MHz,半步设置 | 196.6 | ps | ||
VCO 后分频器频率输出 = 2457.6MHz,全步设置 | 786.4 | ps | ||||
3 电平逻辑输入特性(GPIO0、GPIO1、GPIO2、SCS_ADD) | ||||||
VIH | 输入高电压 | 1.4 | V | |||
VIM | 输入中电压 | 0.6 | 0.95 | V | ||
VIM | 输入中电压自偏置 | 输入悬空、使用内部辅助电源且 PD# 下拉至低电平 | 0.7 | 0.9 | V | |
RIM-PD | 用于中电平自偏置的内部下拉电阻 (15) | 145 | 163 | 180 | kΩ | |
RIM-PU | 用于中电平自偏置的内部上拉电阻 (15) | 470 | 526 | 580 | kΩ | |
VIL | 输入低电压 | 0.4 | V | |||
IIH | 输入高电流 | VIH = VDD | -40 | 40 | µA | |
IIL | 输入低电流 | VIL = GND | -40 | 40 | µA | |
CIN | 输入电容 | 2 | pF | |||
2 电平逻辑输入特性(PD#、SCK、SDIO、SCS_ADD;上电后的 GPIO0、GPIO1 和 GPIO2) | ||||||
VIH | 输入高电压 | 1.2 | V | |||
VIL | 输入低电压 | 0.4 | V | |||
IIH | 输入高电流 | VIH = VDD,PD# 除外 | -40 | 40 | µA | |
IIL | 输入低电流 | VIL = GND,PD# 除外 | -40 | 40 | µA | |
IIH | 输入高电流 | VIH = VDD,PD# 带内部 200kΩ 上拉电阻 | -57 | 24 | µA | |
IIL | 输入低电流 | VIL = GND,PD# 带内部 200kΩ 上拉电阻 | -57 | 24 | µA | |
tWIDTH | 用于 GPIO SYNC、SYSREF 请求、TEC 触发器、DPLL 输入选择、FDEV 触发器和 FDEV_dir 的输入脉冲宽度 | 单调边沿 | 200 | ns | ||
CIN | 输入电容 | 2 | pF | |||
逻辑输出特性(GPIO0、GPIO1、GPIO2、SDIO) | ||||||
VOH | 输出高电压 | IOH = 1mA | 2.4 | V | ||
VOL | 输出低电压 | IOL = 1mA | 0.4 | V | ||
tR/tF | 输出上升/下降时间 | 20% 至 80%,LVCMOS 模式,1kΩ 至 GND | 500 | ps | ||
开漏输出(GPIO0、GPIO1、GPIO2、SDA) | ||||||
VOL | 输出低电平 | IOL = 3mA | 0.3 | V | ||
IOL = 6mA | 0.6 | V | ||||
IOH | 输出泄漏电流 | -15 | 15 | µA | ||
SPI 时序要求(SDIO、SCK、SCS_ADD) | ||||||
fSCK | SPI 时钟速率 | 20 | MHz | |||
SPI 时钟速率;在 SRAM 读取和写入操作期间 | 5 | 10 | MHz | |||
t1 | SCS 至 SCK 设置时间(开始通信周期) | 10 | ns | |||
t2 | SDI 至 SCK 设置时间 | 10 | ns | |||
t3 | SDI 至 SCK 保持时间 | 10 | ns | |||
t4 | SCK 高电平时间 | 25 | ns | |||
t5 | SCK 低电平时间 | 25 | ns | |||
t6 | SCK 至 SDO 有效读回数据 | 20 | ns | |||
t7 | SCS 脉冲宽度 | 20 | ns | |||
t8 | SCK 至 SCS 设置时间(结束通信周期) | 10 | ns | |||
I2C 时序要求(SDA、SCL) | ||||||
VIH | 输入高电压 | 1.2 | V | |||
VIL | 输入低电压 | 0.5 | V | |||
IIH | 输入泄漏 | -15 | 15 | µA | ||
CIN | 输入电容 | 2 | pF | |||
VOL | 输出低电压 | IOL = 3mA | 0.3 | V | ||
VOL | 输出低电压 | IOL = 6mA | 0.6 | V | ||
fSCL | I2C 时钟速率 | 标准 | 100 | kHz | ||
快速模式 | 400 | |||||
tSU(START) | 启动条件设置时间 | 在 SDA 为低电平之前 SCL 为高电平 | 0.6 | µs | ||
tH(START) | 启动条件保持时间 | 在 SDA 为低电平之后 SCL 为低电平 | 0.6 | µs | ||
tW(SCLH) | SCL 脉冲宽度高电平 | 0.6 | µs | |||
tW(SCLL) | SCL 脉冲宽度低电平 | 1.3 | µs | |||
tSU(SDA) | SDA 设置时间 | 100 | ns | |||
tH(SDA) | SDA 保持时间 | 在 SCL 为低电平之后 SDA 有效 | 0 | 0.9 | µs | |
tR(IN) | SDA/SCL 输入上升时间 | 300 | ns | |||
tF(IN) | SDA/SCL 输入下降时间 | 300 | ns | |||
tF(OUT) | SDA 输出下降时间 | CBUS ≤ 400pF | 300 | ns | ||
tSU(STOP) | 停止条件设置时间 | 0.6 | µs | |||
tBUS | STOP 和 START 之间的总线空闲时间 | 1.3 | µs | |||
tVD-DAT | 数据有效时间 | 0.9 | µs | |||
tVD-ACK | 数据有效确认时间 | 0.9 | µs | |||
EEPROM 特性 | ||||||
nEE-CYC | EEPROM 编程周期 | 100 | 周期 | |||
tSRAM-R/W | EEPROM SRAM 字节间读取/写入延时时间 | 0 | ms |