该器件通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与电压调节环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于电压环路具有最大值并且斜率补偿随占空比增加，因此当占空比高于 35% 时，高侧电流限值会随着占空比的增加而减小。请参阅图 9-12。

图 9-12 允许流经 HS FET 的最大电流 - LMQ61460-Q1 占空比的函数

当低侧开关接通时，也会检测和监控开关电流。与高侧器件一样，低侧器件会根据电压控制环路低侧电流限值的命令关断。如果低侧开关电流在开关周期结束时高于 I_{LS_Limit}，则开关周期会延长，直到低侧电流降至限值以下。一旦低侧电流降至其限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。

图 9-13 电流限值波形

由于电流波形假定值介于 I_L-HS 和 I_L-LS 之间，因此最大输出电流非常接近这两个值的平均值。使用了迟滞控制，并且当输出电压接近零时，电流不会增加。

如果存在极端过载情况，该器件会采用断续过流保护，并且在连续 128 个开关周期内满足以下条件：

• 输出电压低于输出电压设定点的约 0.4 倍。
• 自软启动开始以来，经过了大于 t_SS2 的时间；请参阅Topic Link Label9.3.10。
• 该器件不在压降下运行，表明具有最短关断时间受控占空比。

在断续模式下，器件会自行关断，并在 t_W 后尝试软启动。断续模式有助于在严重过流和短路情况下降低器件功耗。请参阅图 9-14。

一旦消除过载，器件就会像在软启动中一样恢复；请参阅图 9-15。

图 9-14 断续期间的电感器电流突发

图 9-15 短路恢复