ZHCSLU3C March 2020 – January 2021 LMQ61460-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
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电源电压和电流 | ||||||
VIN_OPERATE | 工作输入电压(3) | 启动需要 | 3.95 | V | ||
运行后 | 3.0 | |||||
VIN_OPERATE_H | 迟滞(3) | 1 | V | |||
IQ | 工作静态电流(非开关);在 VIN 引脚上测量(1) | VFB = +5%,VBIAS = 5V | 0.6 | 6 | µA | |
IBIAS | 流入 BIAS 引脚的电流(非开关、TJ = 125°C 时的最大值)(1) | VFB = +5%,VBIAS = 5V,自动模式 | 24 | 31.2 | µA | |
ISD | 关断静态电流;在 VIN 引脚处测得 | EN = 0V,TJ = 25℃ | 0.6 | 6 | µA | |
使能 | ||||||
VEN | 使能输入阈值电压 - 上升 | 1.263 | V | |||
VEN-ACC | 使能输入阈值电压 - 与典型值的上升偏差 | -8.1 | 8.1 | % | ||
VEN-HYST | 使能阈值迟滞占 VEN(典型值)的百分比 | 24 | 28 | 32 | % | |
VEN-WAKE | 使能唤醒阈值 | 0.4 | V | |||
IEN | 使能引脚输入电流 | VIN = EN = 13.5V | 2.3 | µA | ||
VEN_SYNC | 使用 EN/SYNC 引脚进行同步所需的边沿高度 | 上升/下降时间 < 30ns | 2.4 | V | ||
LDO - VCC | ||||||
VCC | 内部 VCC 电压 | VBIAS > 3.4V,CCM 运行(3) | 3.3 | V | ||
VBIAS = 3.1V,非开关 | 3.1 | |||||
VCC_UVLO | 内部 VCC 输入欠压锁定 | VCC 上升欠压阈值 | 3.6 | V | ||
VCC_UVLO_HYST | 内部 VCC 输入欠压锁定 | 迟滞低于 VCC_UVLO | 1.1 | V | ||
反馈 | ||||||
VFB_acc | 5V、3.3V 和可调节 (1V FB) 版本的初始基准电压精度 | VIN = 3.3V 至 36V,TJ = 25℃,FPWM 模式 | -1 | 1 | % | |
IFB | 从 FB 到 AGND 的输入电流 | 仅限可调节版本,FB = 1V | 10 | nA | ||
振荡器 | ||||||
fADJ | 通过 RT 或 SYNC 实现的最小可调频率 | RT = 66.5kΩ | 0.18 | 0.2 | 0.22 | MHz |
采用 400kHz 时可通过 RT 或 SYNC 调整频率 | RT = 33.2kΩ | 0.36 | 0.4 | 0.44 | MHz | |
通过 RT 或 SYNC 实现的最大可调频率 | RT = 5.76kΩ | 1.98 | 2.2 | 2.42 | MHz | |
fS SS | 展频运行的频率范围 - 与中心频率的最大偏差 | 可用展频 | 2 | % | ||
fPSS | 展频频谱图频率(3) | 展频可用,fSW = 2.1MHz | 1.5 | Hz | ||
MODE/SYNC 引脚 | ||||||
MOSFET | ||||||
RDS(ON)_HS | 电源开关导通电阻 | 高侧 MOSFET RDS(ON) | 41 | 82 | mΩ | |
RDS(ON)_LS | 电源开关导通电阻 | 低侧 MOSFET RDS(ON) | 21 | 45 | mΩ | |
VBOOT_UVLO | 与 SW 相比 CBOOT 引脚上的电压,将关闭高侧开关 | 2.1 | V | |||
电流限值 | ||||||
IL-HS | 高侧开关电流限值(2) | 占空比接近 0% | 8.9 | 10.3 | 11.5 | A |
IL-LS | 低侧开关电流限值 | 6.1 | 7.1 | 8.1 | A) | |
IL-ZC | 过零电流限值。流出 SW 引脚的电流方向为正 | 自动模式,静态测量 | 0.25 | A | ||
IL-NEG | 负电流限值 FPWM 和 SYNC 模式。流出 SW 引脚的电流方向为正。 | FPWM 运行 | -3 | A | ||
IPK_MIN_0 | 自动模式下的最小峰值命令/器件电流额定值 | 脉冲持续时间 < 100ns | 25 | % | ||
IPK_MIN_100 | 自动模式下的最小峰值命令/器件电流额定值 | 脉冲持续时间 > 1µs | 12.5 | % | ||
VHICCUP | FB 电压与待调节 FB 电压之比 | 不是在软启动期间 | 40 | % | ||
电源正常 | ||||||
PGDOV | PGOOD 阈值上限 - 上升 | VOUT 百分比设置 | 105 | 107 | 110 | % |
PGDU V | PGOOD 阈值下限 - 下降 | VOUT 百分比设置 | 92 | 94 | 96.5 | % |
PGDHYST | PGOOD 上限阈值(上升和下降) | VOUT 百分比设置 | 1.3 | % | ||
VIN(PGD_VALID) | 正常 PGOOD 功能的输入电压 | 1.0 | V | |||
VPGD(LOW) | 低电平 PGOOD 功能输出电压 | 46µA 上拉至 PGOOD 引脚,VIN = 1.0V,EN = 0V | 0.4 | V | ||
1mA 上拉至 PGOOD 引脚,VIN = 13.5V,EN = 0V | 0.4 | |||||
2mA 上拉至 PGOOD 引脚,VIN = 13.5V,EN = 3.3V | 0.4 | |||||
RPGD | PGOOD 输出的 RDS(ON) | 1mA 上拉至 PGOOD 引脚,EN = 0V | 17 | 40 | Ω | |
1mA 上拉至 PGOOD 引脚,EN = 3.3V | 40 | 90 | Ω | |||
IOV | 过压条件下 SW 节点上的下拉电流 | 0.5 | mA | |||
热关断 | ||||||
TSD_R | 热关断上升阈值(3) | 158 | 168 | 180 | ℃ | |
TSD_HYST | 热关断迟滞(3) | 10 | ℃ |