为了在效率方面优化 EMI，该器件旨在于高侧 FET 导通期间通过电阻器选择高侧 FET 驱动器的强度。请参阅图 8-7。通过 RBOOT 引脚消耗的电流（虚线环路）被放大并通过 CBOOT 消耗（虚线）。该电流用于导通高侧电源 MOSEFT。

图 8-7 显示 RBOOT 功能的简化电路

由于 RBOOT 对 CBOOT 短路，因此上升时间非常短。因此，直到高于 150MHz 时，SW 节点谐波才会“滚降”。100Ω 的启动电阻对应于大约 2.7ns 的 SW 节点上升，该 100Ω 启动电阻实际上消除了 SW 节点过冲。在大多数情况下，这种较长的上升时间使 SW 节点谐波中的能量都能在 100MHz 附近滚降。滚降谐波可以消除许多应用中对屏蔽和共模扼流圈的需求。请注意，上升时间随着输入电压的增加而延长。随着 RBOOT 电阻升高，存储电荷产生的噪声也显著降低。采用较低压摆率切换也会降低效率。