LMQ644xx 通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。每个开关周期内，HS 开关电流将与电压调节环路的输出减去斜坡补偿所得到的值进行比较。由于电压环路具有最大值并且斜率补偿随占空比的增大而增加，因此 HS 电流限值会随着占空比的增大而减小，这样对于高输出与输入电压占空比，HS 电流限值会降低 35%。请参阅图 7-14。

图 7-14 允许流经 HS FET 的最大电流 - LMQ644xx 占空比的函数

当 LS 开关接通时，也会检测和监控流经 LS 开关的电流。与高侧器件一样，电压控制环路会命令低侧器件关断。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在电流超过此值时阻止关断。请参阅节 7.4.3.4。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。这称为低侧电流限制；有关值，请参阅电气特性。如果超出 LS 电流限值，LS MOSFET 将保持导通状态，HS 开关不会导通。LS 开关在 LS 电流降至其限值以下后关断。只要自 HS 器件上次导通后至少经过一个时钟周期 HS 开关就会再次导通。

图 7-15 电流限值波形

高侧和低侧限流运行的最终影响是 IC 在迟滞控制下运行。由于电流波形假定值介于 I_L-HS 和 I_L-LS 之间，因此除非占空比非常高，否则输出电流接近这两个值的平均值。在电流限制下运行之后将使用迟滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果占空比非常高，则电流纹波必须非常低以防止不稳定；请参阅节 8.2.2.3。由于电流纹波低，因此除非器件上的压降小于 0.5V，否则该器件能够提供全电流。提供的电流非常接近 I_L-LS。

如果过载，则在过载消除后，器件会像在软启动中一样恢复；请参阅节 7.3.12。请注意，如果输出电压降至预期输出电压的大约 0.4 倍以下，则会触发断续。