ZHCST27A September 2023 – July 2024 LMQ64480-Q1 , LMQ644A0-Q1 , LMQ644A2-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IQ(VIN-DT3p3) | VIN 静态电流，双路输出模式，BIAS = 3.3V | 非开关，VEN = 2V，VBIAS = VVOSNS1 = 3.3V + 10%，VVOSNS2 = 5V + 10% | 7 | 30 | µA | |
| IQ(VIN-ST5p0) | VIN 静态电流，单路输出模式 | 非开关，VEN = 2V，VBIAS = VVOSNS1 = 5V + 10% | 29 | 45 | µA | |
| IQ(VIN-ST3p3) | VIN 静态电流，单路输出模式 | 非开关，VEN = 2V，VBIAS = VVOSNS1 = 3.3V + 10% | 18 | 35 | µA | |
| ISD(VIN) | VIN 关断电源电流 | VEN = 0V | 0.5 | 8 | µA | |
| UVLO | ||||||
| VINUVLO(R) | VIN UVLO 上升阈值 | VIN 上升 | 3.5 | 3.80 | V | |
| VINUVLO(F) | VIN UVLO 下降阈值 | VIN 下降 | 2.5 | 3 | V | |
| VINUVLO(H) | VIN UVLO 迟滞 | 0.75 | 1 | 1.25 | V | |
| ENABLE | ||||||
| VEN(R) | EN1/2 电压上升阈值 | EN1/2 上升，启用开关 | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V |
| VEN(F) | EN1/2 电压下降阈值 | EN1/2 下降，禁用开关 | 0.8 | 0.9 | 1.0 | V |
| VEN(H) | EN1/2 电压迟滞 | 0.25 | 0.325 | 0.55 | V | |
| VEN(W) | EN1/2 电压唤醒阈值 | 0.4 | V | |||
| IEN | EN1/2 引脚拉电流后 EN 上升阈值 | VEN1/2 = VIN = 13.5V | 0.6 | 400 | nA | |
| 内部 LDO | ||||||
| VVCC | 内部 LDO 输出电压 | VBIAS ≥ 3.4V，IVCC ≤ 100mA | 2.7 | 3.1 | 3.7 | V |
| IVCC | 内部 LDO 短路电流限制 | VIN = 13.5V | 100 | 360 | 880 | mA |
| VVCC(UVLO-R) | 启动时的 VCC UVLO 上升阈值 | 3.3 | 3.5 | 3.75 | V | |
| VVCC(UVLO-F) | 关断时的 VCC UVLO 下降阈值 | 2.3 | 2.5 | 3.0 | V | |
| 基准电压 | ||||||
| VFB1/2 | 可调输出配置中的双路输出 FB 电压 | 788 | 800 | 812 | mV | |
| VFB1_so | 可调输出配置中的单路输出模式 FB 电压 | 788 | 800 | 812 | mV | |
| IFB1/2(LKG) | 双路输出配置中的 FB 输入漏电流 | VFB1/2 = 0.8V | 10 | 250 | nA | |
| IFB1_so(LKG) | 单路输出配置中的 FB 输入漏电流 | VFB = 0.8V | 10 | 250 | nA | |
| FBSel-5v0 | 固定 5.0V 设置的电压阈值 | VCC-0.5 | V | |||
| FBSel-3v0 | 用于固定 3.3V 设置的电阻器 | 300 | Ω | |||
| FBSel-ext | 用于选择可调输出电压的外部 FB 分压器选项的最小戴维南等效电阻。 | 4 | kΩ | |||
| 误差放大器 | ||||||
| gm-S1 | EA 跨导 - 单路输出模式 | VFB1 = VCOMP | 625 | 1000 | 1300 | µS |
| ICOMP(src) | EA 拉电流 - 单路输出模式 | VCOMP = 1V，VFB1 = 0.4V | 100 | 200 | 400 | µA |
| ICOMP(sink) | EA 灌电流 - 单路输出模式 | VCOMP = 1V，VFB1 = 0.8 V | 100 | 200 | 500 | µA |
| 开关频率 | ||||||
| fSW1(FPWM) | 开关频率，FCCM 运行 | RRT = 7.15kΩ 至 AGND | 1.9 | 2.1 | 2.3 | MHz |
| fSW2(FPWM) | 开关频率，FCCM 运行 | RRT = 39.2kΩ 至 AGND | 360 | 410 | 450 | kHz |
| fADJ(FCCM) | 可调开关频率范围 | RRT 电阻器，从 6.81kΩ 至 158kΩ 至 AGND | 0.1 | 2.2 | MHz | |
| fSS(int) | 展频开关频率范围 | RRT = 7.15kΩ，RCONFIG= 73.2kΩ | +-10% | |||
| 同步 | ||||||
| VIH(sync) | SYNCIN 高电平阈值 | 1.35 | 1.6 | V | ||
| VIL(sync) | SYNCIN 低电平阈值 | 0.65 | 0.95 | V | ||
| VOH(sync) | 同步输出高电压最小值 | 10mA 负载 | 1.6 | 2.6 | V | |
| VOL(sync) | 同步输出低电压最大值 | 10mA 负载 | 0.35 | 0.68 | V | |
| fSYNC-2p1 | 频率同步范围约为 2.1MHz | RRT = 7.15kΩ 至 AGND | 1.7 | 2.1 | 2.4 | MHz |
| fSYNC-0p4 | 频率同步范围约为 400kHz | RRT = 39.2kΩ 至 AGND | 320 | 400 | 480 | kHz |
| tSYNC(min) | 高于 VIH(sync) 的外部同步信号的脉冲宽度 | 100 | ns | |||
| tSYNC(max) | 低于 VIL(sync) 的低外部同步信号的脉冲宽度 | 100 | ns | |||
| tSYNC-SW(delay) | 从 SYNC 上升沿到 SW 上升沿的延迟 - 单路输出模式 - 次级 | 115 | ns | |||
| 启动 | ||||||
| tSS(R) | 内部固定软启动时间 - 双路输出模式 | 从 VVOSNS1/2= 0%（第一个 SW 脉冲）到 VVOSNS1/2 = 90% | 2.7 | 4.5 | 7 | ms |
| tSS_Lockout(R) | 如果输出未处于稳压状态，则从第一个 SW1/2 脉冲到启用 FPWM 模式的时间 - 双路输出模式 | 7 | 13 | 32 | ms | |
| ISS(R) | 软启动充电电流 - 单路输出模式 | VSS = 0 V | 15 | 20 | 25 | µA |
| RSS(F) | 软启动放电电阻 - 单路输出模式 | 10 | 27 | Ω | ||
| tEN | EN1（单路输出模式）或 EN1/EN2（以双路输出模式中先发生者为准）高电平至开关延迟开始 | 600 | 900 | µs | ||
| 功率级 | ||||||
| RDSON(HS) | 高侧 MOSFET 导通电阻 | VBOOT-SW = 3.3V，IOUT = 1A | 37 | 75 | mΩ | |
| RDSON(LS) | 低侧 MOSFET 导通电阻 | VVCC = 3.3V，IOUT = 1A | 23.9 | 50 | mΩ | |
| tON(min) | 最小 ON 脉冲宽度 | VIN = 20V，IOUT = 2A | 50 | 65 | ns | |
| tON(max) | 最大 ON 脉冲宽度（双路输出，单路输出初级） | RRT = 7.15kΩ | 5 | 8 | 12 | µs |
| tON(max) | 最大 ON 脉冲宽度（单路输出次级） | RRT = 7.15kΩ | 16 | 25 | µs | |
| tOFF(min) | 最小 OFF 脉冲宽度 | VIN = 4 V | 80 | 110 | ns | |
| 升压电路 | ||||||
| 过流保护 | ||||||
| IHS(OC1) | 高侧峰值电流限值 LMQ64480-Q1 | 占空比接近 0% 时 HS FET 上的峰值电流限值 | 6.2 | 7.5 | 9.2 | A |
| ILS(OC1) | 低侧谷值电流限值 LMQ64480-Q1 | LS FET 上的谷值电流限值 | 4.6 | 5.2 | 6.3 | A |
| ILS1(NOC) | 低侧负电流限值 LMQ64480-Q1 | LS FET 上的灌电流限值 | 4 |
A | ||
| ILPEAK1(min-0) | 最小占空比下的最小峰值电感器电流 LMQ64480-Q1 | VVCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns | 1.1 |
A | ||
| ILPEAK1(min-100) | 最大占空比下的最小峰值电感器电流 LMQ64480-Q1 | VVCC = 3.3V，tpulse ≥ 1µs | 0.3 |
A | ||
| IHS(OC2) | 高侧峰值电流限值 LMQ644A0-Q1 | 占空比接近 0% 时 HS FET 上的峰值电流限值 | 7.8 |
9.3 |
10.5 |
A |
| ILPEAK2(min-0) | 最小占空比下的最小峰值电感器电流 LMQ644A0-Q1 | VVCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns | 1.25 |
A | ||
| ILPEAK2(min-100) | 最大占空比下的最小峰值电感器电流 LMQ644A0-Q1 | VVCC = 3.3V，tpulse ≥ 1µs | 0.3 |
A | ||
| IHS(OC3) | 高侧峰值电流限值 LMQ644A2-Q1 | 占空比接近 0% 时 HS FET 上的峰值电流限值 | 9 | 11 | 13.9 | A |
| ILS(OC3) | 低侧谷值电流限值 LMQ644A2-Q1 | LS FET 上的谷值电流限值 | 6.2 | 7.7 | 9 | A |
| ILS3(NOC) | 低侧负电流限值 LMQ644A2-Q1 | LS FET 上的灌电流限值 | 5 | A | ||
| ILPEAK3(min-0) | 最小占空比下的最小峰值电感器电流 LMQ644A2-Q1 | VVCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns | 1 | 1.5 |
2.0 | A |
| ILPEAK3(min-100) | 最大占空比下的最小峰值电感器电流 LMQ644A2-Q1 | VVCC = 3.3V，tpulse ≥ 1µs | 0.3 | 0.7 | 1.8 | A |
| VHiccup-FB | 引脚上的断续阈值 - 双路输出模式，可调输出选项 | LS FET 导通时间 > 165ns | 0.25 | 0.3 | 0.35 | V |
| tHiccup-1 | 进入断续前的等待时间 - 单路和双路输出模式 | 126 | 128 | 130 | 电流限制周期 | |
| tHiccup-2 | 重启之前的断续时间 | 50 | 88 | ms | ||
| 电源正常 | ||||||
| VPGTH-1 | 电源正常阈值 (PG1/2) | PGOOD 低电平，VVOSNS1/2 上升 | 93% | 95% | 97% | |
| VPGTH-2 | 电源正常阈值 (PG1/2) | PGOOD 高电平，VVOSNS1/2 下降 | 92% | 94% | 96% | |
| VPGTH-3 | 电源正常阈值 (PG1/2) | PGOOD 高电平，VVOSNS1/2 上升 | 105% | 107% | 110% | |
| VPGTH-4 | 电源正常阈值 (PG1/2) | PGOOD 低电平，VVOSNS1/2 下降 | 104% | 106% | 109% | |
| tPGOOD(R) | 启动期间 PG1/2 从 VVOSNS1/2 有效到 PGOOD 高电平的延迟 | VVOSNS1/2 = 3.3V | 1.5 | 2.3 | 3 | ms |
| tPGOOD(F) | 从 VVOSNS1/2 无效到 PGOOD 低电平的 PG1/2 延迟 | VVOSNS1/2 = 3.3V | 25 | 45 | 70 | µs |
| IPG(LKG) | 开漏输出为高电平时的 PG1/2 引脚漏电流 | VPG = 3.3V | 0.075 | µA | ||
| VPG-D(LOW) | 两个通道的 PG 引脚输出低电平电压 | IPG = 1mA，VEN = 0V。 | 400 | mV | ||
| RPG-1 | 下拉 MOSFET 电阻 | IPG = 1mA，VEN = 3.3V。 | 30 | 90 | Ω | |
| VIN(PG_VALID) | 有效 PG 输出的最小 VIN | PG 上的上拉电阻 - RPG = 10kΩ，PG 上的电压上拉 - VPULLUP_PG = 3V，VPG-D(LOW) = 0.4V | 0.45 | 1.2 | V | |
| 热关断 | ||||||
| TJ(SD) | 热关断阈值 | 温度上升 | 168 | °C | ||
| TJ(HYS) | 热关断迟滞 | 10 | °C | |||