LMR14030-Q1 集成了自举电压稳压器。BOOT 引脚和 SW 引脚之间的小电容器为高侧 MOSFET 提供栅极驱动电压。当高侧 MOSFET 关断且外部低侧二极管导通时，BOOT 电容器充电。BOOT 电容的建议值是 0.1μF。TI 推荐使用电介质等级为 X7R 或 X5R、额定电压为 16V 或更高的陶瓷电容器，以在整个温度和电压范围内保证稳定的性能。

当从输入到输出具有低压差的条件下运行时，LMR14030-Q1 的高侧 MOSFET 以大约 97% 的占空比运行。当高侧 MOSFET 持续导通 5 或 6 个开关周期（频率低于 1MHz 时为 5 或 6 个开关周期，而频率高于 1MHz 时为 10 或 11 个开关周期），并且从 BOOT 到 SW 的电压降至 3.2V 以下时，高侧 MOSFET 关断，且集成式低侧 MOSFET 将 SW 拉至低电平，从而为 BOOT 电容器充电。

由于 BOOT 电容器提供的栅极驱动电流很小，因此高侧 MOSFET 可以在许多开关周期内保持导通，然后 MOSFET 会关断以刷新该电容器。因此，开关稳压器的有效占空比可能很高，接近 97%。压降期间转换器的有效占空比主要受功率 MOSFET 两端的压降、电感器电阻、低侧二极管电压和印刷电路板电阻的影响。