ZHCST09 January   2024 LMR43606-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 系统特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  启用、启动和关断
      2. 7.3.2  外部 CLK SYNC（通过 MODE/SYNC）
        1. 7.3.2.1 脉冲相关 MODE/SYNC 引脚控制
      3. 7.3.3  可调开关频率（通过 RT）
      4. 7.3.4  电源正常输出运行
      5. 7.3.5  内部 LDO、VCC 和 VOUT/FB 输入
      6. 7.3.6  自举电压和 VBOOT-UVLO（BOOT 端子）
      7. 7.3.7  输出电压选择
      8. 7.3.8  展频
      9. 7.3.9  软启动和从压降中恢复
        1. 7.3.9.1 从压降中恢复
      10. 7.3.10 电流限制和短路
      11. 7.3.11 热关断
      12. 7.3.12 输入电源电流
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 工作模式
        1. 7.4.3.1 CCM 模式
        2. 7.4.3.2 自动模式 – 轻负载运行
          1. 7.4.3.2.1 二极管仿真
          2. 7.4.3.2.2 降频
        3. 7.4.3.3 FPWM 模式 – 轻负载运行
        4. 7.4.3.4 最短导通时间（高输入电压）运行
        5. 7.4.3.5 压降
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  选择开关频率
        2. 8.2.2.2  设定输出电压
          1. 8.2.2.2.1 可调节输出的 FB
        3. 8.2.2.3  电感器选型
        4. 8.2.2.4  输出电容器选型
        5. 8.2.2.5  输入电容器选型
        6. 8.2.2.6  CBOOT
        7. 8.2.2.7  VCC
        8. 8.2.2.8  CFF 选型
        9. 8.2.2.9  外部 UVLO
        10. 8.2.2.10 最高环境温度
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 优秀设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
      2. 9.1.2 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4 热性能信息

此表中的 RθJA 值仅用于与其他封装的比较。这些值是根据 JESD 51-7 计算的，并在 4 层 JEDEC 板上进行了仿真。它们并不代表在实际应用中获得的性能。例如，4 层 PCB 可以实现 RθJA= 50℃/W。
热指标 (1) LMR43606-Q1 单位
RPE (VQFN-HR)
9 引脚
RθJA LMR43606MQ3EVM-2M 的结至环境热阻 50 °C/W
RθJA 结至环境热阻 84.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 47.5 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 26.1 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 0.9 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 25.9 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用手册。 
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