ZHCSUG6 August 2024 LMR51440-Q1 , LMR51450-Q1
PRODUCTION DATA
EMI 辐射是由高电流变化率组件在开关转换器中的脉冲电流中生成。脉冲电流环路的面积越大，EMI 辐射越强。在靠近输入端的位置放一个高频陶瓷旁路电容可为脉冲电流的高电流变化率组件提供基本路径。尽可能靠近 VIN 引脚和 PGND 引脚放置一个或多个陶瓷旁路电容器，是降低 EMI 的关键所在。
连接到电感器的 SW 引脚必须尽可能短，并且宽度应足以承载负载电流而不会出现过热现象。必须为高电流传导路径使用短而厚的布线或覆铜（形状），以尽可能减小寄生电阻。输出电容器必须靠近电感器的 VOUT 端放置，并牢固地接地至 PGND 引脚。