该器件通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。高侧 (HS) MOSFET 过流保护是通过典型峰值电流模式控制方案来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与内部误差放大器环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。当 HS 开关电流达到限流阈值时，HS 开关关闭。由于内部误差放大器环路的输出具有最大值，并且斜率补偿随着占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高侧电流限值会随着占空比的增加而降低。

当低侧 (LS) 开关接通时，也会检测和监控流经该开关的电流。与高侧器件一样，低侧器件具有由内部误差放大器环路命令的关断功能。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在电流超过此值时阻止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。该限值在图 7-12 中称为低侧电流限值 I_VALMAX。如果超出低侧电流限值，低侧 MOSFET 将保持导通状态，高侧开关不会导通。一旦低侧电流降至此限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。

图 7-12 电流限值波形

由于电流波形假定值介于 I_PEAKMAX 和 I_VALMAX 之间，因此最大输出电流非常接近这两个值的平均值，除非占空比非常高。在电流限制下运行之后将使用迟滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果发生极端过载并满足以下条件，LMR664x0-Q1 会采用断续过流保护：

• 输出电压低于输出电压设定点的约 0.4 倍。
• 自软启动开始以来，经过了大于 t_SS 的时间。
• 该器件不处于压降运行状态，表明具有最短关断时间受控占空比。

在断续模式下，器件会自行关断，并在 t_HICCUP 后尝试软启动。断续模式有助于在严重过流和短路情况下降低器件功耗。请参阅图 7-13。

一旦消除过载，器件就会像在软启动中一样恢复；请参阅图 7-14。

图 7-13 进入断续

图 7-14 退出断续