7.1 概述

LMV116 和 LMV118 基于 TI 的专有 VIP10 介质绝缘双极工艺。

LMV116 和 LMV118 架构 具有 以下特性：

• 辅助双极器件即使在低电源电压 (2.7V) 和低集电极偏置电流下也具有非常高的 f_t 值（约 8GHz）。
• 共发射极推挽输出级具有 20mA 输出电流（相对于电源轨 0.5V），同时仅消耗 600μA 的总电源电流。使用此架构，在轻负载条件下输出可保持在任一电源轨的毫伏范围内。
• 可针对最重要的规格（例如 BW、SR、I_OUT 等）在任一电源电压（2.7V 至 10V）下实现一致的性能，且电源电压波动小。