7.4.2 微功耗关断

可以关断 LMV118，以节省能耗并将电源电流减小到低于 50μA，通过向 SD 引脚施加电压来确定。SD 引脚为高电平有效，需要连接到 V⁻ 以实现正常运行。此输入为低电流（< 20μA，4pF 等效电容），V⁻ 的电阻器 (≤ 20kΩ) 可实现正常运行。在任何工作电源电压和温度条件下，当 SD 引脚相对于 V⁺ 的电压为 0.4V 或以下时，指定关断。

在关断模式下，本质上所有内部器件偏置都会关闭，以便将电源电流降至最低，而输出会进入 Hi-Z（高阻抗）模式。完整的器件开启和关断时间相对于输出负载条件、输出电压和输入阻抗差异很大，但通常限制为低于 1μs（请参阅电气特性：2.7V、电气特性：5V 和 电气特性：±5V）

在关断期间，输入级的等效电路如 Figure 20 所示。

Figure 20. 输入级关断等效电路

从 Figure 20 中可以看出，在关断模式下，所示的内部二极管上可能存在输入电位（如果有的话）产生的电流。此电流可能流经外部反馈电阻器，产生视在输出信号。在多数关断 应用中， 此输出的存在无关紧要。然而，如果输出由另一器件强制产生，例如在多路复用器中，则另一器件必须传输所述电流，以便维持输出电位。

当没有其他器件将输出保持在低电平时，为了在关断期间将输出保持在地电位或接近地电位，可使用开关（晶体管）将输出分流到地电位。Figure 21 显示的电路中，NPN 双极晶体管用于将输出保持在接近地电位（约 80mV）：

Figure 21. 有源下拉电路原理图

Figure 22 显示了输出波形。

Figure 22. 有源下拉电路使输出保持低电平

如果双极晶体管功率耗散不可容忍，可由 N 沟道增强模式 MOSFET 实现开关功能。