为实现正常运行，必须对电源进行适当的去耦。为了对电源线进行去耦，TI 建议将 10nF 电容器尽可能靠近运算放大器电源引脚放置。对于单电源，应在 V+ 和 V− 电源引线之间放置一个电容器。对于双电源，应在 V+ 和接地之间放置一个电容器，并在 V– 和接地之间放置一个电容器。

内部 RFI 滤波器会将接收到的 EMI 能量转移到电源引脚。要最大程度地提高内置 EMI 滤波器的效率，电源引脚旁路应具有到射频接地端的低阻抗、低电感路径。

通常建议的 0.1µF 及更大的电容器往往会在 EMI 滤波器的有效频率范围内产生感应，并且在滤波高频率 (> 50MHz) 下无效。应将具有接近 1GHz 范围的高自谐振频率的电容器放置在电源引脚上。可以通过将小型（0805 或更小）10pF 至 100pF SMT 陶瓷电容器直接放置在连接到固态射频接地层的电源引脚来实现这一点。这些电容器将为高频 EMI 提供到接地层的直接交流路径。这些电容器是在建议的低频电源旁路电容器之外添加的电容器，而不是用于替代它们。