ZHCS227H June 2011 – November 2024 LP2951-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | TJ | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3.3V 版本 | ||||||||
输出电压 | IL = 100µA | 旧芯片 | 25°C | 3.267 | 3.3 | 3.333 | V | |
-40°C 至 125°C | 3.234 | 3.3 | 3.366 | |||||
新芯片 | 25°C | 3.2868 | 3.3 | 3.3132 | ||||
-40°C 至 125°C | 3.2736 | 3.3 | 3.3264 | |||||
5V 版本 | ||||||||
输出电压 | IL = 100µA | 旧芯片 | 25°C | 4.95 | 5 | 5.05 | V | |
-40°C 至 125°C | 4.900 | 5 | 5.100 | |||||
新芯片 | 25°C | 4.98 | 5 | 5.02 | ||||
-40°C 至 125°C | 4.96 | 5 | 5.04 | |||||
输出电压精度 | VIN = [VOUT(NOM) + 1V] 至 30V,IL = 100µA 至 100mA | 新芯片 | -40°C 至 125°C | -1 | 1 | % | ||
输出电压温度系数(1) | IL = 100µA | 旧芯片 | -40°C 至 125°C | 20 | 100 | ppm/°C | ||
新芯片 | 20 | 60 | ||||||
线性调整率(2) | VIN = [VOUT(NOM) + 1V] 至 30V | 旧芯片 | 25°C | 0.03 | 0.2 | %/V | ||
-40°C 至 125°C | 0.4 | |||||||
新芯片 | 25°C | 0.0006 | 0.01 | |||||
-40°C 至 125°C | 0.015 | |||||||
负载调整率(2) | IL = 100µA 至 100mA | 旧芯片 | 25°C | 0.04 | 0.2 | % | ||
-40°C 至 125°C | 0.3 | |||||||
新芯片 | 25°C | 0.04 | 0.1 | |||||
-40°C 至 125°C | 0.2 | |||||||
压降电压 | VIN = 2V,IL = 100µA | 旧芯片 | 25°C | 50 | 80 | mV | ||
-40°C 至 125°C | 150 | |||||||
新芯片 | 25°C | 1 | 4 | |||||
-40°C 至 125°C | 5 | |||||||
VIN = 2V,IL = 100mA | 旧芯片 | 25°C | 380 | 450 | ||||
-40°C 至 125°C | 600 | |||||||
新芯片 | 25°C | 340 | 420 | |||||
-40°C 至 125°C | 550 | |||||||
GND 电流 | IL = 100µA | 旧芯片 | 25°C | 75 | 120 | µA | ||
-40°C 至 125°C | 140 | |||||||
新芯片 | 25°C | 50 | 65 | |||||
-40°C 至 125°C | 80 | |||||||
IL = 100mA | 旧芯片 | 25°C | 8 | 12 | mA | |||
-40°C 至 125°C | 14 | |||||||
新芯片 | 25°C | 0.8 | ||||||
-40°C 至 125°C | 0.9 | |||||||
压降接地电流 | VIN = VOUT(NOM) – 0.5V, IL = 100µA |
旧芯片 | 25°C | 110 | 170 | µA | ||
-40°C 至 125°C | 200 | |||||||
新芯片 | 25°C | 78 | 120 | |||||
-40°C 至 125°C | 150 | |||||||
UVLO VIN 上升 | IL = 100µA | 新芯片 | -40°C 至 125°C | 1.8 | 1.9 | 2.0 | V | |
UVLO VIN 下降 | 1.7 | 1.8 | 1.9 | |||||
迟滞 | 100 | mV | ||||||
电流限制 | VOUT = 0V | 旧芯片 | 25°C | 160 | 200 | mA | ||
-40°C 至 125°C | 220 | |||||||
新芯片 | 25°C | 180 | 200 | |||||
-40°C 至 125°C | 230 | |||||||
热调节(3) | IL = 100µA | 旧芯片 | 25°C | 0.05 | 0.2 | %/W | ||
新芯片 | 0.05 | 0.2 | ||||||
输出噪声 (RMS), 10Hz 至 100KHz |
CL = 1µF(仅限 5V) | 旧芯片 | 25°C | 430 | µV | |||
新芯片 | 265 | |||||||
CL = 200µF | 旧芯片 | 25°C | 160 | |||||
CL = 100µF | 新芯片 | 250 | ||||||
CL = 3.3µF,引脚 1 和 7 之间的 CBypass = 0.01µF |
旧芯片 | 25°C | 100 | |||||
新芯片 | 100 | |||||||
电源纹波抑制 | VIN - VOUT = 1V,频率 = 100Hz,IOUT ≥ 5mA | 新芯片 | 25°C | 80 | dB | |||
ADJ 版本 | ||||||||
基准电压 | VIN = 2.3V 至 30V, IL = 100µA 至 100mA |
旧芯片 | -40°C 至 125°C | 1.2 | 1.272 | V | ||
新芯片 | 1.188 | 1.212 | ||||||
基准电压温度系数(1) | 旧芯片 | 25°C | 20 | ppm/°C | ||||
新芯片 | 5 | |||||||
反馈偏置电流 | 新芯片 | 25°C | 10 | 50 | nA | |||
-40°C 至 125°C | 60 | |||||||
FEEDBACK 偏置电流温度系数 | 新芯片 | 25°C | 0.1 | nA/°C | ||||
误差比较器 | ||||||||
输出漏电流 | VOUT = 30V | 旧芯片 | 25°C | 0.01 | 1 | µA | ||
-40°C 至 125°C | 2 | |||||||
新芯片 | 25°C | 0.2 | 0.5 | |||||
-40°C 至 125°C | 1 | |||||||
输出低电压 | VIN ≥ 2V IOL = 400µA |
旧芯片 | 25°C | 150 | 250 | mV | ||
-40°C 至 125°C | 400 | |||||||
新芯片 | 25°C | 180 | 250 | |||||
-40°C 至 125°C | 350 | |||||||
阈值上限电压(ERROR 输出高电平)(4) | 旧芯片 | 25°C | 40 | 60 | mV | |||
-40°C 至 125°C | 25 | |||||||
新芯片 | 25°C | 40 | 60 | |||||
-40°C 至 125°C | 25 | |||||||
阈值下限电压(ERROR 输出低电平)(4) | 旧芯片 | 25°C | 75 | 95 | mV | |||
-40°C 至 125°C | 140 | |||||||
新芯片 | 25°C | 75 | 95 | |||||
-40°C 至 125°C | 140 | |||||||
迟滞(4) | 旧芯片 | 25°C | 15 | mV | ||||
新芯片 | 15 | |||||||
关断输入 | ||||||||
输入逻辑电压 | 低(稳压器打开) | 旧芯片 | -40°C 至 125°C | 0.7 | V | |||
新芯片 | 0.7 | |||||||
高(稳压器关闭) | 旧芯片 | -40°C 至 125°C | 2 | |||||
新芯片 | 2 | |||||||
SHUTDOWN 输入电流 | SHUTDOWN = 2.4V | 旧芯片 | 25°C | 30 | 50 | µA | ||
-40°C 至 125°C | 100 | |||||||
新芯片 | 25°C | 0.2 | 0.5 | |||||
-40°C 至 125°C | 1 | |||||||
SHUTDOWN = 30V | 旧芯片 | 25°C | 450 | 600 | ||||
-40°C 至 125°C | 750 | |||||||
新芯片 | 25°C | 0.3 | 0.5 | |||||
-40°C 至 125°C | 1 | |||||||
关断时稳压器输出电流 |
VSHUTDOWN ≥ 2V, VIN ≥ 30V,VOUT = 0, FEEDBACK 连接到 VTAP |
旧芯片 | 25°C | 3 | 10 | µA | ||
-40°C 至 125°C | 20 | |||||||
新芯片 | 25°C | 4 | 6 | |||||
-40°C 至 125°C | 7.5 |