ZHCSSD8F april   2000  – july 2023 LP2980-ADJ

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Output Enable
      2. 7.3.2 Dropout Voltage
      3. 7.3.3 Current Limit
      4. 7.3.4 Undervoltage Lockout (UVLO)
      5. 7.3.5 Output Pulldown
      6. 7.3.6 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Device Functional Mode Comparison
      2. 7.4.2 Normal Operation
      3. 7.4.3 Dropout Operation
      4. 7.4.4 Disabled
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 External Feedback Resistors
      2. 8.1.2 Recommended Capacitor Types
        1. 8.1.2.1 Recommended Capacitors for the New Chip
        2. 8.1.2.2 Recommended Capacitors for the Legacy Chip
      3. 8.1.3 Input and Output Capacitor Requirements
      4. 8.1.4 Feed-Forward Capacitor (CFF)
      5. 8.1.5 Reverse Current
      6. 8.1.6 Power Dissipation (PD)
      7. 8.1.7 Estimating Junction Temperature
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Setting VOUT For the LP2980-ADJ LDO
        2. 8.2.2.2 ON/OFF Input Operation
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Device Support
      1. 9.1.1 Device Nomenclature
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • VIN 范围：
    • 旧芯片：2.2V 至 16V
    • 新芯片：2.5V 至 16V
  • VOUT 范围：
    • 旧芯片：1.23V 至 15.0V
    • 新芯片：1.2V 至 15.0V
  • VOUT 精度（典型值）：
    • 旧芯片：±1%
    • 新芯片：±0.5%
  • 在整个负载和温度范围内的输出精度：
    • 旧芯片：±3.5%
    • 新芯片：±1%
  • 输出电流：高达 50mA
  • 静态电流，低 IQ（新芯片）：
    • ILOAD = 0 mA 时为 55μA
    • ILOAD = 50 mA 时为 350μA
  • 关断电流与温度间的关系：
    • 旧芯片：< 1μA
    • 新芯片：≤ 0.8μA
  • 输出电流限制和热保护
  • 使用 2.2µF 陶瓷电容器实现稳定工作（新芯片）
  • 高 PSRR（新芯片）：
    • 1kHz 频率下为 70dB，1MHz 频率下为 42dB
  • 工作结温：–40°C 至 +125°C
  • 封装：5 引脚 SOT-23 (DBV)
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