1 特性

V_IN 范围（新芯片）：2.5V 至 16V
V_OUT 范围（新芯片）：
- 1.2V 至 5.0V（固定值，100mV 阶跃）
V_OUT 精度：
- A 级旧芯片为 ±0.5%
- 标准级旧芯片为 ±1%
- 新芯片 ±0.5%（A 级和标准级）
在整个负载和温度范围内的输出精度：±1%（新芯片）
输出电流：高达 50mA
低 I_Q（新芯片）：I_LOAD = 0mA 时为 69μA
低 I_Q（新芯片）：I_LOAD = 50mA 时为 380μA
关断电流与温度间的关系：
- 旧芯片为 0.01μA（典型值）
- 新芯片为 1.12μA（典型值）
输出电流限制和热保护
使用 2.2µF 陶瓷电容器实现稳定工作（新芯片）
高 PSRR（新芯片）：
- 1kHz 频率下为 75dB，1MHz 频率下为 45dB
工作结温：–40°C 至 +125°C
封装：5 引脚 SOT-23 (DBV)