ZHCSUG4A January 2024 – May 2024 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
在半桥桥臂中高侧和低侧 MOSFET 的开关瞬间之间插入了死区时间,以避免发生击穿情况。由于存在死区时间插入,相节点上的预期电压与施加的电压会因相电流方向而异。相节点电压失真会在相电流中引入不必要的失真,进而导致可闻噪声。MCF8315C-Q1 集成了专有的死区时间补偿技术,以消除这种相电流失真并大大降低可闻噪声,从而显著提高 MCF8315C-Q1 中 FOC 的声学性能。可以通过配置 DEADTIME_COMP_EN 来启用或禁用此死区时间补偿。即使 DEADTIME_COMP_EN 设置为 1b(启用补偿),也会在电机电气频率超过 135Hz 时禁用死区时间补偿,而在电机电气频率降至低于 127Hz 时重新启用死区时间补偿。