ZHCSUG4A January 2024 – May 2024 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
对于在达到 IPD 电流阈值时 MCF8315C-Q1 如何停止驱动 FET,有两种模式可进行配置。如果 IPD_RLS_MODE = 0b,则选择再循环(或制动)模式。在此配置中,低侧 (LSC) MOSFET 保持导通状态,以使电流在 MOSFET (LSC) 和体二极管 (LSA) 之间再循环(请参阅图 6-28)。如果 IPD_RLS_MODE = 1b,则选择高阻态模式。在高阻态模式下,高侧 (HSA) 和低侧 (LSC) MOSFET 均关断,电流通过体二极管再循环回到电源中(请参阅图 6-29)。
在高阻态模式下,相电流的稳定时间较短,但这可能导致 VM 上的电压增加。要解决该问题,用户必须适当选择钳位电路,或在 VM 和 PGND 之间提供足够的电容来吸收能量。如果无法抑制电压浪涌,或电压浪涌对于应用而言不可接受,则必须使用再循环模式。使用再循环模式时,请相应地选择 IPD_CLK_FREQ,以便在应用下一个 IPD 相位模式之前,为电机绕组中的电流提供足够的时间以衰减至 0A。