ZHCSUG4A January   2024  – May 2024 MCF8315C-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 额定值 - 汽车
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 标准和快速模式下 SDA 和 SCL 总线的特征
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  输出级
      2. 6.3.2  器件接口
        1. 6.3.2.1 接口 - 控制和监控
        2. 6.3.2.2 I2C 接口
      3. 6.3.3  混合模式降压稳压器
        1. 6.3.3.1 以电感器模式降压
        2. 6.3.3.2 以电阻器模式降压
        3. 6.3.3.3 具有外部 LDO 的降压稳压器
        4. 6.3.3.4 降压稳压器上的 AVDD 电源时序
        5. 6.3.3.5 混合模式降压运行和控制
        6. 6.3.3.6 降压欠压保护
        7. 6.3.3.7 降压过流保护
      4. 6.3.4  AVDD 线性稳压器
      5. 6.3.5  电荷泵
      6. 6.3.6  压摆率控制
      7. 6.3.7  跨导（死区时间）
      8. 6.3.8  电机控制输入源
        1. 6.3.8.1 模拟模式电机控制
        2. 6.3.8.2 PWM 模式电机控制
        3. 6.3.8.3 基于 I2C 的电机控制
        4. 6.3.8.4 频率模式电机控制
        5. 6.3.8.5 速度配置文件
          1. 6.3.8.5.1 线性基准曲线
          2. 6.3.8.5.2 阶梯基准曲线
          3. 6.3.8.5.3 正向/反向基准曲线
      9. 6.3.9  在不同初始条件下启动电机
        1. 6.3.9.1 案例 1 – 电机静止
        2. 6.3.9.2 案例 2 – 电机正向旋转
        3. 6.3.9.3 案例 3 – 电机反向旋转
      10. 6.3.10 电机启动顺序 (MSS)
        1. 6.3.10.1 初始速度检测 (ISD)
        2. 6.3.10.2 电机重新同步
        3. 6.3.10.3 反向驱动
          1. 6.3.10.3.1 反向驱动调谐
      11. 6.3.11 电机启动
        1. 6.3.11.1 对齐
        2. 6.3.11.2 双对齐
        3. 6.3.11.3 初始位置检测 (IPD)
          1. 6.3.11.3.1 IPD 操作
          2. 6.3.11.3.2 IPD 释放模式
          3. 6.3.11.3.3 IPD 超前角度
        4. 6.3.11.4 慢速首循环启动
        5. 6.3.11.5 开环
        6. 6.3.11.6 从开环转换到闭环
      12. 6.3.12 闭环运行
        1. 6.3.12.1 闭环加速/减速压摆率
        2. 6.3.12.2 速度 PI 控制
        3. 6.3.12.3 电流 PI 控制
        4. 6.3.12.4 转矩模式
        5. 6.3.12.5 过调制
      13. 6.3.13 电机参数
        1. 6.3.13.1 电机电阻
        2. 6.3.13.2 电机电感
        3. 6.3.13.3 电机反电动势常数
      14. 6.3.14 电机参数提取工具 (MPET)
      15. 6.3.15 防电压浪涌 (AVS)
      16. 6.3.16 主动制动
      17. 6.3.17 输出 PWM 开关频率
      18. 6.3.18 PWM 调制方案
      19. 6.3.19 死区时间补偿
      20. 6.3.20 电机停止运转选项
        1. 6.3.20.1 滑行（高阻态）模式
        2. 6.3.20.2 低边制动
        3. 6.3.20.3 主动降速
      21. 6.3.21 FG 配置
        1. 6.3.21.1 FG 输出频率
        2. 6.3.21.2 开环期间的 FG
        3. 6.3.21.3 空闲和故障期间的 FG
      22. 6.3.22 直流母线电流限制
      23. 6.3.23 保护功能
        1. 6.3.23.1  VM 电源欠压锁定
        2. 6.3.23.2  AVDD 欠压锁定 (AVDD_UV)
        3. 6.3.23.3  降压欠压锁定 (BUCK_UV)
        4. 6.3.23.4  VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 6.3.23.5  过压保护 (OVP)
        6. 6.3.23.6  过流保护 (OCP)
          1. 6.3.23.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 6.3.23.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
        7. 6.3.23.7  降压过流保护
        8. 6.3.23.8  硬件锁定检测电流限制 (HW_LOCK_ILIMIT)
          1. 6.3.23.8.1 HW_LOCK_ILIMIT 锁存关断 (HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 00xxb)
          2. 6.3.23.8.2 HW_LOCK_ILIMIT 自动恢复 (HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 01xxb)
          3. 6.3.23.8.3 HW_LOCK_ILIMIT 仅报告 (HW_LOCK_ILIMIT_MODE = 1000b)
          4. 6.3.23.8.4 HW_LOCK_ILIMIT 已禁用 (HW_LOCK_ILIMIT_MODE= 1xx1b)
        9. 6.3.23.9  电机锁定 (MTR_LCK)
          1. 6.3.23.9.1 MTR_LCK 锁存关断 (MTR_LCK_MODE = 00xxb)
          2. 6.3.23.9.2 MTR_LCK 自动恢复 (MTR_LCK_MODE= 01xxb)
          3. 6.3.23.9.3 MTR_LCK 仅报告 (MTR_LCK_MODE = 1000b)
          4. 6.3.23.9.4 MTR_LCK 已禁用 (MTR_LCK_MODE = 1xx1b)
        10. 6.3.23.10 电机锁定检测
          1. 6.3.23.10.1 锁定 1：异常速度 (ABN_SPEED)
          2. 6.3.23.10.2 锁定 2：异常 BEMF (ABN_BEMF)
          3. 6.3.23.10.3 锁定 3：无电机故障 (NO_MTR)
        11. 6.3.23.11 最小 VM（欠压）保护
        12. 6.3.23.12 最大 VM（过压）保护
        13. 6.3.23.13 MPET 故障
        14. 6.3.23.14 IPD 故障
        15. 6.3.23.15 热警告 (OTW)
        16. 6.3.23.16 热关断（TSD）
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 待机模式
        3. 6.4.1.3 故障复位 (CLR_FLT)
    5. 6.5 外部接口
      1. 6.5.1 DRVOFF 功能
      2. 6.5.2 DAC 输出
      3. 6.5.3 电流检测输出
      4. 6.5.4 振荡源
        1. 6.5.4.1 外部时钟源
      5. 6.5.5 外部看门狗
    6. 6.6 EEPROM 访问和 I2C 接口
      1. 6.6.1 EEPROM 访问
        1. 6.6.1.1 EEPROM 写入
        2. 6.6.1.2 EEPROM 读取
      2. 6.6.2 I2C 串行接口
        1. 6.6.2.1 I2C 数据字
        2. 6.6.2.2 I2C 写入事务
        3. 6.6.2.3 I2C 读取事务
        4. 6.6.2.4 I2C 通信协议数据包示例
        5. 6.6.2.5 I2C 时钟延展
        6. 6.6.2.6 CRC 字节计算
  8. 7 EEPROM（非易失性）寄存器映射
    1. 7.1 Algorithm_Configuration 寄存器
    2. 7.2 Fault_Configuration 寄存器
    3. 7.3 Hardware_Configuration 寄存器
    4. 7.4 Internal_Algorithm_Configuration 寄存器
  9. 8 RAM（易失性）寄存器映射
    1. 8.1 Fault_Status 寄存器
    2. 8.2 System_Status 寄存器
    3. 8.3 器件控制寄存器
    4. 8.4 Algorithm_Control 寄存器
    5. 8.5 算法变量寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用曲线
        1. 9.2.1.1 电机启动
        2. 9.2.1.2 MPET
        3. 9.2.1.3 死区时间补偿
        4. 9.2.1.4 自动转换
        5. 9.2.1.5 抗电压浪涌 (AVS)
        6. 9.2.1.6 使用 DACOUT 进行实时变量跟踪
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 大容量电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 散热注意事项
        1. 9.4.2.1 功率损耗
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 支持资源
    2. 10.2 商标
    3. 10.3 静电放电警告
    4. 10.4 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +150°C，VVM = 4.5V 至 35V（除非另有说明）。典型限值适用于 TA = 25°C、VVM = 24V
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源
IVMQVM 睡眠模式电流VVM > 6V，VSPEED = 0，TA = 25°C35µA
VSPEED = 0，TA = 125°C3.57µA
IVMSVM 待机模式电流VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，TA = 25°C，LBK = 47µH，CBK = 22µF 816mA
VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，TA = 25°C，RBK = 22Ω，CBK = 22µF2529mA
VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，LBK = 47µH，CBK = 22µF 816.5mA
VVM ≥ 12V，待机模式，DRVOFF = 高电平，RBK = 22Ω，CBK = 22µF2529mA
IVMVM 工作模式电流VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TA = 25°C，LBK = 47µH，CBK = 22µF，未连接电机1118mA
VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，TA = 25°C，RBK = 22Ω，CBK = 22µF，未连接电机2731.5mA
VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，LBK = 47µH，CBK = 22µF，未连接电机1118mA
VVM ≥ 12V，VSPEED > VEX_SL，PWM_FREQ_OUT = 0011b (25kHz)，RBK = 22Ω，CBK = 22µF，未连接电机2832mA
VAVDD模拟稳压器电压0mA ≤ IAVDD ≤ 20mA3.1253.33.465V
IAVDD外部模拟稳压器负载20mA
VDVDD数字稳压器电压1.41.551.65V
VVCP电荷泵稳压器电压VCP，以 VM 为基准4.04.75.5V
降压稳压器
VBK降压稳压器平均电压
（LBK = 47µH，CBK = 22µF）
 		VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 00b3.13.33.5V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 01b4.65.05.4V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 10b3.74.04.3V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，BUCK_SEL = 11b5.25.75.8V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 170mAVVM–IBK*(RLBK+2) 1V
VBK降压稳压器平均电压
（LBK = 22µH，CBK = 22µF）
 		VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 00b3.13.33.5V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 01b4.65.05.4V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 10b3.74.04.3V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，BUCK_SEL = 11b5.25.75.8V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 20mAVVM–IBK*(RLBK+2)1V
VBK降压稳压器平均电压
（RBK = 22Ω，CBK = 22µF）
 		VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 00b3.13.33.5V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 01b4.65.05.4V
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 10b3.74.04.3V
VVM > 6.7V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，BUCK_SEL = 11b5.25.75.8V
VVM < 6.0V（BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b），0mA ≤ IBK ≤ 10mAVVM–IBK*(RBK+2)V
VBK_RIP降压稳压器纹波电压VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 170mA，带电感器的降压稳压器，LBK = 47µH，CBK = 22µF–100100mV
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 20mA，带电感器的降压稳压器，LBK = 22µH，CBK = 22µF–100100mV
VVM > 6V，0mA ≤ IBK ≤ 10mA，带电阻器的降压稳压器；RBK = 22Ω，CBK = 22µF–100100mV
IBK外部降压稳压器负载LBK = 47µH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b170mA
LBK = 47µH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b170 – IAVDDmA
LBK = 22µH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b20mA
LBK = 22µH，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b20 – IAVDDmA
RBK = 22Ω，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 1b10mA
RBK = 22Ω，CBK = 22µF，BUCK_PS_DIS = 0b10 – IAVDDmA
fSW_BK降压稳压器开关频率调节模式20535kHz
线性模式20535kHz
VBK_UV降压稳压器欠压锁定
 		VBK 上升，BUCK_SEL = 00b2.72.82.95V
VBK 下降，BUCK_SEL = 00b2.52.62.7V
VBK 上升，BUCK_SEL = 01b4.34.44.55V
VBK 下降，BUCK_SEL = 01b4.14.24.37V
VBK 上升，BUCK_SEL = 10b2.72.82.95V
VBK 下降，BUCK_SEL = 10b2.52.62.7V
VBK 上升，BUCK_SEL = 11b4.34.44.55V
VBK 下降，BUCK_SEL = 11b4.14.24.36V
VBK_UV_HYS降压稳压器欠压锁定迟滞上升至下降阈值，BUCK_SEL = 00b90200400mV
上升至下降阈值，BUCK_SEL = 01b70200400mV
上升至下降阈值，BUCK_SEL = 10b90200400mV
上升至下降阈值，BUCK_SEL =11b70200400mV
IBK_CL降压稳压器电流限制阈值
 		BUCK_CL = 0b360600910mA
BUCK_CL = 1b80150250mA
IBK_OCP降压稳压器过流保护跳变点234A
tBK_RETRY过流保护重试时间0.711.3ms
驱动器输出
RDS(ON) (RGF)MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧）VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C240260mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C250270mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C360400mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C370415mΩ
RDS(ON) (RRY)MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧）VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C250270mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C260280mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C375415mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C385425mΩ
RDS(ON) (PWP)MOSFET 总导通电阻（高侧 + 低侧）VVM > 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C265280mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TA = 25°C275290mΩ
VVM > 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C390430mΩ
VVM < 6V，IOUT = 1A，TJ = 150°C400440mΩ
SR相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）VVM = 24V，SLEW_RATE = 10b80125210V/µs
VVM = 24V，SLEW_RATE = 11b130200315V/µs
SR相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）VVM = 24V，SLEW_RATE = 10b80125235V/µs
VVM = 24V，SLEW_RATE = 11b110200345V/µs
tDEAD输出死区时间（高电平到低电平/低电平到高电平）VVM = 24V，SR = 125V/µs650850ns
VVM = 24V，SR = 200V/µs500550ns
速度输入 - PWM 模式
ƒPWMPWM 输入频率0.01100kHz
ResPWMPWM 输入分辨率fPWM = 0.01kHz 至 0.35kHz111213位
fPWM = 0.35kHz 至 2kHz111314位
fPWM = 2kHz 至 3.5kHz1111.512位
fPWM = 3.5kHz 至 7kHz121313.5位
fPWM = 7kHz 至 14kHz111212.5位
fPWM = 14kHz 至 29.2kHz 1011.512位
fPWM = 29.3kHz 至 60kHz910.511位
fPWM = 60kHz 至 100kHz8910位
速度输入 - 模拟模式
VANA_FS模拟全速电压2.9533.05V
VANA_RES模拟电压分辨率732μV
速度输入 - 频率模式
ƒPWM_FREQPWM 输入频率范围 占空比 = 50%332767Hz
睡眠模式
VEN_SL进入睡眠模式的模拟电压SPEED_MODE = 00b（模拟模式）40mV
VEX_SL退出睡眠模式的模拟电压SPEED_MODE = 00b（模拟模式）2.2V
tDET_ANA检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间 SPEED_MODE = 00b（模拟模式）
VSPEED > VEX_SL		0.511.5μs
tWAKE从睡眠模式唤醒的时间VSPEED > VEX_SL 以使 DVDD 电压可用，SPEED_MODE = 00b（模拟模式）35ms
tEX_SL_DR_ANA从睡眠状态退出后驱动电机所需的时间SPEED_MODE = 00b（模拟模式），DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲，ISD 检测禁用30ms
tDET_PWM检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间 SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），VSPEED > VIH0.511.5μs
tWAKE_PWM从睡眠模式唤醒的时间VSPEED > VIH 以使 DVDD 电压可用，SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式）35ms
tEX_SL_DR_PWM从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲，ISD 检测禁用30ms
tDET_SL_ANA检测睡眠命令所需的时间，模拟模式SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b0.0350.050.065ms
SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME= 01b0.140.20.26ms
SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b142026ms
SPEED_MODE = 00b（模拟模式）VSPEED < VEN_SL，SLEEP_ENTRY_TIME= 11b140200260ms
tDET_SL_PWM检测睡眠命令、PWM 或频率模式所需的时间SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b		0.0350.050.065ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 01b		0.140.20.26ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b		142026ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 11b		140200260ms
tEN_SL检测到睡眠命令后停止驱动电机所需的时间VSPEED < VEN_SL（模拟模式）或 VSPEED < VIL（PWM 模式或频率模式）或 VSPEED < VIL 和 DIGITAL_SPEED_CTRL = 0（I2C 模式）12ms
待机模式
tEX_SB_DR_ANA退出待机模式后驱动电机所需的时间，模拟模式SPEED_MODE = 00b（模拟模式），VSPEED > VEX_SB，禁用 ISD 检测6ms
tEX_SB_DR_PWM退出待机模式后驱动电机所需的时间，PWM 模式SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）
VSPEED > VIH，禁用 ISD 检测		6ms
tDET_SB_ANA检测待机模式所需的时间，模拟模式SPEED_MODE = 00b（模拟模式），VSPEED < VEN_SB0.512ms
tDET_SB_PWM检测待机命令、PWM/频率模式所需的时间SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 00b		0.0350.050.065ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 01b0.140.20.26ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 10b142026ms
SPEED_MODE = 01b（PWM 模式）或 SPEED_MODE = 11b（频率模式），
VSPEED < VIL，SLEEP_ENTRY_TIME = 11b		140200260ms
tDET_SB_DIG检测待机模式所需的时间，I2C 模式SPEED_MODE = 10b（I2C 模式），DIGITAL_SPEED_CTRL = 0b12ms
tEN_SB检测到待机命令后停止驱动电机所需的时间所有速度输入模式12ms
逻辑电平输入（BRAKE、DIR、EXT_CLK、EXT_WD、SPEED）
VIL输入逻辑低电平电压AVDD = 3 至 3.6V0.25*AVDDV
VIH输入逻辑高电平电压AVDD = 3 至 3.6V0.65*AVDDV
VHYS输入滞后50500800mV
IIL输入逻辑低电平电流AVDD = 3 至 3.6V-0.150.15µA
IIH输入逻辑高电流AVDD = 3 至 3.6V-0.30µA
RPD_SPEED输入下拉电阻SPEED 引脚至 GND0.611.4MΩ
开漏输出（nFAULT、FG）
VOL输出逻辑低电压IOD = -5mA0.4V
IOZ输出逻辑高电流VOD = 3.3V00.5µA
I2C 串行接口
VI2C_L输入逻辑低电平电压-0.50.3*AVDDV
VI2C_H输入逻辑高电平电压0.7*AVDD5.5V
VI2C_HYS迟滞 0.05*AVDDV
VI2C_OL输出逻辑低电压2mA 灌电流漏极开路 00.4V
II2C_OL输出逻辑低电平电流VI2C_OL = 0.6V6mA
II2C_ILSDA 和 SCL 上的输入电流-102102µA
CiSDA 和 SCL 的电容10pF
tof从 VI2C_H（最小值）到 VI2C_L（最大值）的输出下降时间标准模式2503ns
快速模式2503ns
tSP必须由输入滤波器进行抑制的尖峰脉冲宽度快速模式0504ns
振荡器
fOSCREF外部时钟基准EXT_CLK_CONFIG = 000b8kHz
EXT_CLK_CONFIG = 001b16kHz
EXT_CLK_CONFIG = 010b32kHz
EXT_CLK_CONFIG = 011b64kHz
EXT_CLK_CONFIG = 100b128kHz
EXT_CLK_CONFIG = 101b256kHz
EXT_CLK_CONFIG = 110b512kHz
EXT_CLK_CONFIG = 111b1024kHz
EEPROM
EEProg编程电压1.351.51.65V
EERET保持TA = 25℃100年
TJ = -40 至 150℃10年
EEEND耐久性TJ = -40 至 150℃1000周期
TJ = -40 至 85℃20000周期
保护电路
VUVLO电源欠压锁定 (UVLO)VM 上升4.34.44.51V
VM 下降4.14.24.32V
VUVLO_HYS电源欠压锁定迟滞上升至下降阈值90200350mV
tUVLO电源欠压抗尖峰脉冲时间357µs
VOVP电源过压保护 (OVP) 阈值电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 032.53435V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 031.83334.3V
电源电压上升，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1202223V
电源电压下降，OVP_EN = 1，OVP_SEL = 1192122V
VOVP_HYS电源过压保护迟滞上升至下降阈值，OVP_SEL = 10.911.15V
上升至下降阈值，OVP_SEL = 00.70.80.9V
tOVP电源过压抗尖峰脉冲时间2.557µs
VCPUV电荷泵欠压锁定（高于 VM）电源上升2.252.52.75V
电源下降2.22.42.6V
VCPUV_HYS电荷泵 UVLO 迟滞上升至下降阈值65100150mV
VAVDD_UV模拟稳压器 (AVDD) 欠压锁定电源上升2.72.853V
电源下降2.482.652.8V
VAVDD_UV_HYS模拟稳压器欠压锁定迟滞上升至下降阈值180200240mV
IOCP过流保护跳变点OCP_LVL = 0b5.5912A
OCP_LVL = 1b91318A)
tOCP过流保护抗尖峰时间OCP_DEG = 00b0.020.20.4µs
OCP_DEG = 01b0.20.61.2µs
OCP_DEG = 10b0.51.21.8µs
OCP_DEG = 11b0.91.62.5µs
tRETRY过流保护重试时间425500575ms
TOTW热警告温度芯片温度 (TJ)135145155°C
TOTW_HYS热警告迟滞芯片温度 (TJ)152530℃
TTSD_BUCK热关断温度（降压）芯片温度 (TJ)170180190°C
TTSD_BUCK_HYS热关断迟滞（降压）芯片温度 (TJ)152530℃
TTSD热关断温度 (FET)芯片温度 (TJ)165175185°C
TTSD_HYS热关断迟滞 (FET)芯片温度 (TJ)152530℃
(1) RLBK 为电感器 LBK 的阻值。
(2) 如果 AVDD 关闭，则 I/O 引脚不得妨碍 SDA 和 SCL 线。
(3) SDA 和 SCL 总线的最大 tf (300ns) 长于输出级的额定最大 tof (250ns)。这允许在 SDA/SCL 引脚以及 SDA/SCL 总线之间连接串联保护电阻器 (Rs)，而不超过最大 tf 额定值。
(4) SDA 和 SCL 输入端的输入滤波器可抑制小于 50ns 的噪声尖峰。
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