ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
引脚 | 36 引脚封装 | 类型(1) | 说明 | |
---|---|---|---|---|
名称 | MCF8329A1I | |||
AGND | 25 | GND | 器件模拟接地 | |
AVDD | 26 | PWR | 3.3V 稳压器输出。在 AVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1μF、6.3V 陶瓷电容器。该稳压器可以提供高达 50mA 的外部电流(如果 AVDD 短接至 VREG)。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。 | |
BRAKE | 34 | I | 高电平 → 制动电机 低电平 → 正常运行 如果未使用,则通过 10kΩ 电阻器连接到 GND |
|
BSTA | 9 | O | 自举输出引脚。在 BSTA 和 SHA 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。 | |
BSTB | 13 | O | 自举输出引脚。在 BSTB 和 SHB 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。 | |
BSTC | 17 | O | 自举输出引脚。在 BSTC 和 SHC 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器。 | |
CPH | 7 | PWR | 电荷泵开关节点。在 CPH 引脚和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。 | |
CPL | 6 | PWR | ||
DACOUT/SOx/SPEED_ANA | 33 | I/O | 通用引脚。可配置为 DAC 输出、电流检测放大器输出或模拟基准输入。 | |
DGND | 1 | GND | 器件数字接地 | |
DIR | 31 | I | 电机旋转方向; 当为低电平时,相位驱动序列为 OUT A → OUT C → OUT B 当为高电平时,相位驱动序列为 OUT A → OUT B → OUT C 如果未使用,则通过 10kΩ 电阻器连接到 GND |
|
DRVOFF | 24 | I | 独立驱动器关断路径。通过将栅极驱动器置于下拉状态,将 DRVOFF 拉高可关断所有外部 MOSFET。该信号绕过并覆盖数字和控制内核。 | |
DVDD | 36 | PWR | 1.5V 内部稳压器输出。在 DVDD 和 DGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、6.3V 陶瓷电容器。 | |
EXT_CLK | 32 | I | 外部时钟基准模式下的外部时钟基准输入。 | |
FG | 28 | O | 电机速度指示器输出。开漏输出需要一个连接到 1.8 至 5V 电压的外部上拉电阻器。即使不使用引脚功能,也需要连接外部上拉电阻器。 | |
GCTRL | 3 | O | 外部 MOSFET 的栅极控制用作稳压器,通过 VREG 引脚为数字子系统提供电流。该功能有助于降低器件内部的功耗。 | |
GHA | 11 | O | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极 | |
GHB | 15 | O | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极 | |
GHC | 19 | O | 高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极 | |
GLA | 12 | O | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极 | |
GLB | 16 | O | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极 | |
GLC | 20 | O | 低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极 | |
GND | 4 | GND | 器件电源接地 | |
GVDD | 8 | PWR | 栅极驱动器电源输出。在 GVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 30V、容值 ≥ 10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议使用 >10x CBSTx 的电容值和至少两倍于引脚正常工作电压的额定电压。 | |
LSS | 21 | PWR | 低侧源极引脚,连接此处外部低侧 MOSFET 的所有源极。该引脚是低侧栅极驱动器的灌电流路径,并用作监测低侧 MOSFET VDS 电压和 VSEN_OCP 电压的输入。 | |
nFAULT | 35 | O | 故障指示器。该引脚在故障条件下被拉至逻辑低电平。开漏输出需要一个连接到 1.8 至 5V 电压的外部上拉电阻器。即使不使用引脚功能,也需要连接外部上拉电阻器。 | |
PVDD | 5 | PWR | 栅极驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压 >2x PVDD、容值 >10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。 | |
SCL | 30 | I | I2C 时钟输入 | |
SDA | 29 | I/O | I2C 数据线 | |
SHA | 10 | I/O | 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。 | |
SHB | 14 | I/O | 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。 | |
SHC | 18 | I/O | 高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。 | |
SN | 23 | I | 电流检测放大器输入。连接到电流分流电阻的低侧。 | |
SP | 22 | I | 低侧分流放大器输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。 | |
SPEED/WAKE | 27 | I | 多功能输入。 器件睡眠/唤醒输入。 器件控制输入;支持基于模拟、PWM 或频率的基准(速度、功率、电流或调制指数)输入。 |
|
VREG | 2 | PWR | 内部 DVDD LDO 的稳压器输入电源。连接到 AVDD 或外部 3-5.5V 电压。在 VREG 和 DGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1μF、6.3V 陶瓷电容器。 | |
散热焊盘 | - | PWR | 必须接地 |