ZHCSQ51 November 2023 MCF8329A
PRODUCTION DATA
IPD 释放使用高阻态模式,高侧 (HSA) 和低侧 (LSC) MOSFET 均关断,电流通过体二极管再循环回到电源中(请参阅图 7-22)。
IPD 释放期间的高阻态模式会使电机直流电源电压 VM (VPVDD) 上的电压升高。用于必须通过选择适当的钳位电路或通过在 VPVDD 和 GND 之间提供足够的电容以吸收能量来解决该问题。