ZHCSUA7 December   2023 MCT8314Z

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 次级器件模式时序
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  PWM 控制模式（1x PWM 模式）
        1. 7.3.2.1 模拟霍尔输入配置
        2. 7.3.2.2 数字霍尔输入配置
        3. 7.3.2.3 异步调制
        4. 7.3.2.4 同步调制
        5. 7.3.2.5 电机运行
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率
      7. 7.3.7  跨导（死区时间）
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 七电平输入引脚
      10. 7.3.10 自动同步整流模式（ASR 模式）
      11. 7.3.11 逐周期电流限制
        1. 7.3.11.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      12. 7.3.12 霍尔比较器（模拟霍尔输入）
      13. 7.3.13 超前角
      14. 7.3.14 FG 信号
      15. 7.3.15 保护功能
        1. 7.3.15.1 VM 电源欠压锁定 (NPOR)
        2. 7.3.15.2 AVDD 欠压锁定 (AVDD_UV)
        3. 7.3.15.3 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        4. 7.3.15.4 过压保护 (OVP)
        5. 7.3.15.5 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.15.5.1 OCP 锁存关断（OCP_MODE = 00b 或 MCT8314ZH）
          2. 7.3.15.5.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 7.3.15.5.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 7.3.15.5.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 11b)
        6. 7.3.15.6 电机锁定 (MTR_LOCK)
          1. 7.3.15.6.1 MTR_LOCK 锁存关断 (MTR_LOCK_MODE = 00b)
          2. 7.3.15.6.2 MTR_LOCK 自动重试（MTR_LOCK_MODE = 01b 或 MCT8314ZH）
          3. 7.3.15.6.3 MTR_LOCK 仅报告 (MTR_LOCK_MODE= 10b)
          4. 7.3.15.6.4 MTR_LOCK 已禁用 (MTR_LOCK_MODE = 11b)
        7. 7.3.15.7 热警告 (OTW)
        8. 7.3.15.8 热关断 (OTS)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 工作模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 状态寄存器
      2. 7.6.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 霍尔传感器配置和连接
      1. 8.2.1 典型配置
      2. 8.2.2 开漏配置
      3. 8.2.3 串联配置
      4. 8.2.4 并行配置
    3. 8.3 典型应用
      1. 8.3.1 具有电流限制的三相无刷直流电机控制
        1. 8.3.1.1 详细设计过程
          1. 8.3.1.1.1 电机电压
          2. 8.3.1.1.2 使用自动同步整流模式（ASR 模式）
          3. 8.3.1.1.3 功率损耗和结温损耗
  10. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 散热注意事项
      1. 10.3.1 功率损耗
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 封装选项附录
    2. 13.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.3.1 功率损耗

MCT8314Z 中的功率损耗包括待机功率损耗、LDO 功率损耗、FET 导通和开关损耗以及二极管损耗。FET 导通损耗在 MCT8314Z 的总功率耗散中占主导地位。在启动和故障情况下，输出电流远大于正常电流；务必将这些峰值电流及其持续时间考虑在内。总器件耗散是三个半桥中每个半桥耗散的总功率。器件可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。请注意，RDS,ON 随温度升高而增加，因此随着器件发热，功率耗散也会增大。在设计 PCB 和散热时，应考虑这一点。

下面显示了梯形控制的每个损耗计算公式的摘要。

表 10-1 MCT8314Z 梯形控制的功率损耗

损耗类型

梯形波

待机功耗

Pstandby = VM x IVM_TA

LDO（来自 VM）

PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD

FET 导通

PCON = 2 x IRMS(trap) x Rds,on(TA)

FET 开关

PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM

Diode

Pdiode = IRMS(trap) x Vdiode

X tdiode x fPWM
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