ZHCSUA7 December 2023 MCT8314Z
ADVANCE INFORMATION
由于输出级使用 N 沟道 FET,因此该器件需要高于 VM 电源的栅极驱动电压才能完全增强高侧 FET。MCT8314Z 集成了一个电荷泵电路,可为此生成高于 VM 电源的电压。电荷泵需要一个外部电容器 CCP 才能运行。为 CCP 使用 X5R 或 X7R、220nF、16V 陶瓷电容器,并将其放置在 VM 和 CP 引脚附近。当 nSLEEP 为低电平时,电荷泵会关断。