主动消磁通过在体二极管开始导通时自动导通 MOSFET 以降低二极管导通损耗，从而降低器件中的功率损耗。它用于切换换向状态时的梯形换向（关断一个高侧 MOSFET 并导通另一个高侧 MOSFET，同时保持低侧 MOSFET 导通）。当在 SPI 型号中设置 EN_ASR 和 EN_AAR 位或在硬件型号中将 MODE 引脚将设置为模式 5、模式 6 或模式 7 时，将启用主动消磁。

当在禁用主动消磁的情况下切换换向状态时，会插入死区时间，低侧 MOSFET 的体二极管会导通，同时导通另一个高侧 MOSFET，以继续通过电机提供电流。由于二极管的正向偏置电压和较慢的电流耗散，该导通期间会导致更高的功率损耗。图 9-7 显示了在切换换向状态时的体二极管导通。启用主动消磁后，AD_HS 和 AD_LS 比较器会检测此检测 FET 电压何时高于或低于编程的阈值。在死区时间期间之后，如果超过阈值达到一段固定的时间，体二极管将导通，逻辑内核将导通低侧 FET，以提供功率损耗更小的导通路径。一旦 V_DS 电压低于比较器阈值，MOSFET 就会关断，电流短暂地流过体二极管，直到电流完全衰减至零。如图 9-8 中所示。