ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
MCT8315Z 器件包含一个以三相 H 桥配置连接的集成式 275mΩ(组合式高侧和低侧 FET 的导通状态电阻)NMOS FET。倍增电荷泵可在宽工作电压范围内为高侧 NMOS FET 提供适合的栅极偏置电压,此外还提供 100% 占空比支持。内部线性稳压器为低侧 MOSFET 提供栅极偏置电压。该器件具有两个 VM 电机电源引脚,这些引脚一起连接到电机电源电压。