ZHCSU58 December 2023 MCT8315Z
PRODUCTION DATA
由于输出级使用 N 沟道 FET,因此该器件需要高于 VM 电源的栅极驱动电压才能完全增强高侧 FET。MCT8315Z 集成了一个电荷泵电路,可为此目的生成高于 VM 电源的电压。
电荷泵需要两个外部电容器才能运行。有关这些电容器的详细信息(值、连接等),请参阅图 8-1、图 8-2、图 8-3、节 6和节 8.3。
当 nSLEEP 为低电平时,电荷泵会关断。