ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
由于输出级使用 N 沟道 FET,因此该器件需要高于 VM 电源的栅极驱动电压才能导通高侧 FET。MCT8316A-Q1 集成了一个电荷泵电路,可为此目的生成高于 VM 电源的电压。
电荷泵需要两个外部电容器(CCP、CFLY)才能运行。有关这些电容器的详细信息(值、连接等),请参阅方框图和引脚说明。