ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
输出 FET 电阻 (RDS(on)) 中耗散的功率在 MCT8316A 的功率耗散中占主导地位。
在启动和故障条件下,FET 电流远大于正常运行 FET 电流;务必将这些峰值电流及其持续时间考虑在内。
器件总功率损耗是在三个半桥的每个半桥上耗散的功率以及待机功率、LDO 和降压稳压器损耗相加的结果。
器件可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。
请注意,RDS(on) 随温度升高而增加,因此随着器件发热,功率耗散也会增大。在确定散热器尺寸时,请考虑这一点。
用于计算每个损耗的公式摘要如表 7-3 所示。
损耗类型 | MCT8316A-Q1 |
---|---|
待机功耗 | Pstandby = VM x IVM_TA |
LDO | PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD(如果 BUCK_PS_DIS = 1b) PLDO = (VBK-VAVDD) x IAVDD(如果 BUCK_PS_DIS = 0b) |
FET 导通 | PCON = 2 x (IRMS(trap))2 x Rds,on(TA) |
FET 开关 | PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM |
Diode | Pdiode = IPK(trap) x Vdiode x tdead x fPWM |
消磁 | 无主动消磁:3 x IPK(trap) x Vdiode x tcommutation x fmotor_elec 带主动消磁:3 x (IRMS(trap))2 x Rds,on(TA) x tcommutation x fmotor_elec |
降压 | PBK = 0.11 x VBK x IBK (ηBK = 90%) |