ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
该器件针对 MOSFET 的任何跨导提供全面保护。通过插入死区时间 (tdead) 可确保精密控制高侧和低侧 MOSFET,从而避免发生任何击穿事件。实现方法是通过检测高侧和低侧 MOSFET 的栅源电压 (VGS) 并确保高侧 MOSFET 的 VGS 已达到关断电平以下,然后再将同一半桥的低侧 MOSFET 导通,如图 6-11 和图 6-12 所示,反之亦然。