在 MCT8316A-Q1 中，EEPROM 写入过程如下所示。

1. 将 ISD 配置（例如启用重新同步、启用反向驱动、静止检测阈值等）写入寄存器 0x000080 (ISD_CONFIG)。
2. 将电机启动配置（例如启动方法、首循环频率、IPD 参数、对齐参数等）写入寄存器 0x000082 (MOTOR_STARTUP1)。
3. 将电机启动配置（例如开环加速、最小占空比等）写入寄存器 0x000084 (MOTOR_STARTUP2)。
4. 将电机控制配置（例如闭环加速、PWM 频率、PWM 调制等）写入寄存器 0x000086 (CLOSED_LOOP1)。
5. 将电机控制配置（例如 FG 信号参数、电机停止选项等）写入寄存器 0x000088 (CLOSED_LOOP2)。
6. 将电机控制配置（例如，快速启动和动态去磁参数，包括 BEMF 阈值、占空比阈值等）写入寄存器 0x00008A (CLOSED_LOOP3)。
7. 将电机控制配置（例如快速减速参数，包括快速减速占空比阈值、窗口、电流限值等）写入寄存器 0x00008C (CLOSED_LOOP4)。
8. 将电机控制配置（例如速度环路参数，包括闭环模式、饱和限值、K_p、K_i 等）写入寄存器 0x00008E (CONST_SPEED)。
9. 将电机控制配置（例如输入功率调节参数，包括最大功率、恒定功率模式、功率级别滞后、最大速度等）写入寄存器 0x000090 (CONST_PWR)。
10. 将故障控制配置（例如 CBC、锁定电流限值和操作、重试次数等）写入寄存器 0x000092 (FAULT_CONFIG1)。
11. 将故障控制配置（例如 OV、UV 限值和操作、异常速度水平、电机锁定设置等）写入寄存器 0x000094 (FAULT_CONFIG2)。
12. 将 150^o 调制的 PWM 占空比配置写入寄存器 0x000096 和 0x000098（150_DEG_TWO_PH_PROFILE 和 150_DEG_THREE_PH_PROFILE）。
13. 将 ISD BEMF 阈值、消隐时间、AVS 电流限制等算法参数写入寄存器 0x00009A 和 0x00009C（TRAP_CONFIG1 和 TRAP_CONFIG2）。
14. 将 DIR、BRAKE、DACOUT1 和 DACOUT2、SOX、外部看门狗等的引脚配置写入寄存器 0x0000A4 和 0x0000A6（PIN_CONFIG1 和 PIN_CONFIG2）。
15. 将器件配置（例如器件模式、启用外部时钟、时钟源、速度输入 PWM 频率范围等）写入寄存器 0x0000A8 (DEVICE_CONFIG)。
16. 将栅极驱动器配置（如压摆率、CSA 增益、OCP 电平、模式、启用 OVP 等）写入寄存器 0x0000AC 和 0x0000AE（GD_CONFIG1 和 GD_CONFIG2）。
17. 将 0x80000000 写入寄存器 0x0000E6，以将影子寄存器 (0x000080-0x0000AE) 值写入 EEPROM。
18. 等待 100ms 以便 EEPROM 写入操作完成。

可以根据需要修改的寄存器/参数选择性地执行步骤 1-16。在所有影子寄存器都更新为所需的值后，应执行步骤 17 将影子寄存器的内容复制到 EEPROM 中。