ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
MCT8316A-Q1 包含以三相桥配置连接的集成式 95mΩ(高侧和低侧 FET 的导通状态电阻之和)NMOS FET。倍增电荷泵可在宽工作电压范围内为高侧 NMOS FET 提供适合的栅极偏置电压,此外还提供 100% 占空比支持。内部线性稳压器为低侧 MOSFET 提供栅极偏置电压。