为输出级 MOSFET 提供可调栅极驱动电流控制,以实现可配置的压摆率,从而降低 EMI。MOSFET VDS 压摆率是优化辐射发射、二极管恢复尖峰的总能量和持续时间以及与 PCB 寄生元件相关的开关电压瞬态的关键因素。此压摆率主要由内部 MOSFET 栅极电流的控制决定,如图 6-9 所示。
每个半桥的压摆率可通过 SLEW_RATE 设置进行调节。压摆率可配置为 25V/µs、50V/µs、125V/μs 或 200V/μs。压摆率根据 OUTx 引脚电压的上升时间和下降时间计算得出,如图 6-10 所示。