ZHCSWO7 May 2024 MCT8316A-Q1
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源 | ||||||
IVMQ | VM 睡眠模式电流 | VVM > 6V,VSPEED = 0,TA = 25°C | 3 | 5 | µA | |
VSPEED = 0,TA = 125°C | 3.5 | 7 | µA | |||
IVMS | VM 待机模式电流 | VVM > 6V,VSPEED > VEN_SB,DRVOFF = 高电平,TA = 25°C,LBK = 47µH,CBK = 22µF | 8 | 15 | mA | |
VVM > 6V,VSPEED > VEN_SB,DRVOFF = 高电平,RBK = 22Ω,CBK = 22µF | 25 | 28 | mA | |||
VVM > 6V,VSPEED > VEN_SB,DRVOFF = 高电平,LBK = 47µH,CBK = 22µF | 8 | 15 | mA | |||
VVM > 6V,VSPEED > VEN_SB,DRVOFF = 高电平,RBK = 22Ω,CBK = 22µF | 25 | 28 | mA | |||
IVM | VM 工作模式电流 | VVM > 6V,VSPEED > VEX_SL,PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz),TJ = 25°C,LBK = 47µH,CBK = 22µF,未连接电机 | 11 | 18 | mA | |
VVM > 6V,VSPEED > VEX_SL,PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz),TJ = 25°C,RBK = 22Ω,CBK = 22µF,未连接电机 | 27 | 32 | mA | |||
VVM > 6V,VSPEED > VEX_SL,PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz),LBK = 47µH,CBK = 22µF,未连接电机 | 11 | 17 | mA | |||
VVM > 6V,VSPEED > VEX_SL,PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz),RBK = 22Ω,CBK = 22µF,未连接电机 | 28 | 33 | mA | |||
VAVDD | 模拟稳压器电压 | 0mA ≤ IAVDD ≤ 20mA | 3.125 | 3.3 | 3.465 | V |
IAVDD | 外部模拟稳压器负载 | 20 | mA | |||
VDVDD | 数字稳压器电压 | 1.4 | 1.55 | 1.65 | V | |
VVCP | 电荷泵稳压器电压 | VCP,以 VM 为基准 | 4.0 | 4.7 | 5.5 | V |
降压稳压器 | ||||||
VBK | 降压稳压器平均电压 (LBK = 47µH,CBK = 22µF) |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 170mA,BUCK_SEL = 00b | 3.1 | 3.3 | 3.5 | V |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 170mA,BUCK_SEL = 01b | 4.6 | 5.0 | 5.4 | V | ||
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 170mA,BUCK_SEL = 10b | 3.7 | 4.0 | 4.3 | V | ||
VVM > 6.7V,0mA ≤ IBK ≤ 170mA,BUCK_SEL = 11b | 5.2 | 5.7 | 5.8 | V | ||
VVM < 6.0V(BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b),0mA ≤ IBK ≤ 170mA | VVM–IBK*(RLBK+2) 1 | V | ||||
VBK | 降压稳压器平均电压 (LBK = 22µH,CBK = 22µF) |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 20mA,BUCK_SEL = 00b | 3.1 | 3.3 | 3.5 | V |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 20mA,BUCK_SEL = 01b | 4.6 | 5.0 | 5.4 | V | ||
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 20mA,BUCK_SEL = 10b | 3.7 | 4.0 | 4.3 | V | ||
VVM > 6.7V,0mA ≤ IBK ≤ 20mA,BUCK_SEL = 11b | 5.2 | 5.7 | 5.8 | V | ||
VVM < 6.0V(BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b),0mA ≤ IBK ≤ 20mA | VVM–IBK*(RLBK+2)1 | V | ||||
VBK | 降压稳压器平均电压 (RBK = 22Ω,CBK = 22µF) |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 10mA,BUCK_SEL = 00b | 3.1 | 3.3 | 3.5 | V |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 10mA,BUCK_SEL = 01b | 4.6 | 5.0 | 5.4 | V | ||
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 10mA,BUCK_SEL = 10b | 3.7 | 4.0 | 4.3 | V | ||
VVM > 6.7V,0mA ≤ IBK ≤ 10mA,BUCK_SEL = 11b | 5.2 | 5.7 | 5.8 | V | ||
VVM < 6.0V(BUCK_SEL = 00b、01b、10b、11b),0mA ≤ IBK ≤ 10mA | VVM–IBK*(RLBK+2) (1) | V | ||||
VBK_RIP | 降压稳压器纹波电压 | VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 170mA,带电感器的降压稳压器,LBK = 47µH,CBK = 22µF | -100 | 100 | mV | |
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 20mA,带电感器的降压稳压器,LBK = 22µH,CBK = 22µF | -100 | 100 | mV | |||
VVM > 6V,0mA ≤ IBK ≤ 10mA,带电阻器的降压稳压器;RBK = 22Ω,CBK = 22µF | -100 | 100 | mV | |||
IBK | 外部降压稳压器负载 | LBK = 47µH,CBK = 22µF,BUCK_PS_DIS = 1b | 170 | mA | ||
LBK = 47µH,CBK = 22µF,BUCK_PS_DIS = 0b | 170 – IAVDD | mA | ||||
LBK = 22µH,CBK = 22µF,BUCK_PS_DIS = 1b | 20 | mA | ||||
LBK = 22µH,CBK = 22µF,BUCK_PS_DIS = 0b | 20 – IAVDD | mA | ||||
RBK = 22Ω,CBK = 22µF,BUCK_PS_DIS = 1b | 10 | mA | ||||
RBK = 22Ω,CBK = 22µF,BUCK_PS_DIS = 0b | 10 – IAVDD | mA | ||||
fSW_BK | 降压稳压器开关频率 | 调节模式 | 20 | 535 | kHz | |
线性模式 | 20 | 535 | kHz | |||
VBK_UV | 降压稳压器欠压锁定 |
VBK 上升,BUCK_SEL = 00b | 2.7 | 2.8 | 2.95 | V |
VBK 下降,BUCK_SEL = 00b | 2.5 | 2.6 | 2.7 | V | ||
VBK 上升,BUCK_SEL = 01b | 4.3 | 4.4 | 4.55 | V | ||
VBK 下降,BUCK_SEL = 01b | 4.1 | 4.2 | 4.38 | V | ||
VBK 上升,BUCK_SEL = 10b | 2.7 | 2.8 | 2.95 | V | ||
VBK 下降,BUCK_SEL = 10b | 2.5 | 2.6 | 2.7 | V | ||
VBK 上升,BUCK_SEL = 11b | 4.3 | 4.4 | 4.55 | V | ||
VBK 下降,BUCK_SEL = 11b | 4.1 | 4.2 | 4.38 | V | ||
VBK_UV_HYS | 降压稳压器欠压锁定迟滞 | 上升至下降阈值,BUCK_SEL = 00b | 90 | 200 | 400 | mV |
上升至下降阈值,BUCK_SEL = 01b | 90 | 200 | 400 | mV | ||
上升至下降阈值,BUCK_SEL = 10b | 90 | 200 | 400 | mV | ||
上升至下降阈值,BUCK_SEL =11b | 90 | 200 | 400 | mV | ||
IBK_CL | 降压稳压器电流限制阈值 |
BUCK_CL = 0b | 360 | 600 | 910 | mA |
BUCK_CL = 1b | 80 | 150 | 260 | mA | ||
IBK_OCP | 降压稳压器过流保护跳变点 | 2 | 3 | 4 | A | |
tBK_RETRY | 过流保护重试时间 | 0.7 | 1 | 1.3 | ms | |
驱动器输出 | ||||||
RDS(ON) | MOSFET 总导通电阻(高侧 + 低侧) | VVM > 6V,IOUT = 1A,TA = 25°C | 95 | 125 | mΩ | |
VVM < 6V,IOUT = 1A,TA = 25°C | 105 | 130 | mΩ | |||
VVM > 6V,IOUT = 1A,TJ = 150°C | 140 | 185 | mΩ | |||
VVM < 6V,IOUT = 1A,TJ = 150°C | 145 | 190 | mΩ | |||
SR | 相位引脚压摆率从低切换到高(从 20% 上升到 80%) | VVM = 24V,压摆率 = 10b | 80 | 125 | 185 | V/µs |
VVM = 24V,压摆率 = 11b | 130 | 200 | 280 | V/µs | ||
SR | 相位引脚压摆率从高切换到低(从 80% 下降到 20%) | VVM = 24V,压摆率 = 10b | 80 | 125 | 185 | V/µs |
VVM = 24V,压摆率 = 11b | 110 | 200 | 280 | V/µs | ||
tDEAD | 输出死区时间(高电平到低电平/低电平到高电平) | VVM = 24V,压摆率 = 10b | 650 | 1000 | ns | |
VVM = 24V,压摆率 = 11b | 500 | 750 | ns | |||
速度输入 - PWM 模式 | ||||||
ƒPWM | PWM 输入频率 | 0.01 | 100 | kHz | ||
ResPWM | PWM 输入分辨率 | 0.01kHz ≤ fPWM < 0.35kHz | 11 | 12 | 13 | 位 |
0.35kHz ≤ fPWM < 2kHz | 12 | 13 | 14 | 位 | ||
2kHz ≤ fPWM < 3.5kHz | 11 | 11.5 | 12 | 位 | ||
3.5kHz ≤ fPWM < 7kHz | 13 | 13.5 | 14 | 位 | ||
7kHz ≤ fPWM < 14kHz | 12 | 12.5 | 13 | 位 | ||
14kHz ≤ fPWM < 29.3kHz | 11 | 11.5 | 12 | 位 | ||
29.3kHz ≤ fPWM < 60kHz | 10 | 10.5 | 11 | 位 | ||
60kHz ≤ fPWM ≤ 100kHz | 8 | 9 | 10 | 位 | ||
速度输入 - 模拟模式 | ||||||
VANA_FS | 模拟全速电压 | 2.95 | 3 | 3.05 | V | |
VANA_RES | 模拟电压分辨率 | 732 | μV | |||
速度输入 - 频率模式 | ||||||
ƒPWM_FREQ | PWM 输入频率范围 | 占空比 = 50% | 3 | 32767 | Hz | |
睡眠模式 | ||||||
VEN_SL | 进入睡眠状态时的模拟电压 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式) | 40 | mV | ||
VEX_SL | 退出睡眠模式时的模拟电压 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式) | 2.2 | V | ||
tDET_ANA | 检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式) VSPEED > VEX_SL |
0.5 | 1 | 1.5 | μs |
tWAKE | 从睡眠状态唤醒的时间 | VSPEED > VEX_SL 以使 DVDD 电压可用,SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) | 3 | 5 | ms | |
tEX_SL_DR_ANA | 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式),DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲,ISD 检测禁用 | 20 | ms | ||
tDET_PWM | 检测 SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) VSPEED > VIH |
0.5 | 1 | 1.5 | μs |
tWAKE_PWM | 从睡眠状态唤醒的时间 | VSPEED > VIH 以使 DVDD 电压可用,SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) | 3 | 5 | ms | |
tEX_SL_DR_PWM | 从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式),DVDD 电压可用于第一个输出 PWM 脉冲,ISD 检测禁用 | 20 | ms | ||
tDET_SL_ANA | 检测睡眠命令所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式), VSPEED < VEN_SL,SLEEP_TIME = 00b |
0.035 | 0.05 | 0.065 | ms |
SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式), VSPEED < VEN_SL,SLEEP_TIME = 01b |
0.14 | 0.2 | 0.26 | ms | ||
SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式), VSPEED < VEN_SL,SLEEP_TIME = 10b |
14 | 20 | 26 | ms | ||
SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式), VSPEED < VEN_SL,SLEEP_TIME = 11b |
140 | 200 | 260 | ms | ||
tDET_SL_PWM | 检测睡眠命令所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式)或 11b(频率模式), VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 00b |
0.035 | 0.05 | 0.065 | ms |
SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式)或 11b(频率模式), VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 01b |
0.14 | 0.2 | 0.26 | ms | ||
SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式)或 11b(频率模式), VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 10b |
14 | 20 | 26 | ms | ||
SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式)或 11b(频率模式), VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 11b |
140 | 200 | 260 | ms | ||
tEN_SL | 检测到睡眠命令后停止驱动电机所需的时间 | VSPEED < VEN_SL(模拟模式)或 VSPEED < VIL(PWM 模式或频率模式)或 VSPEED < VIL 和 DIGITAL_SPEED_CTRL = 0b(I2C 模式) | 1 | 2 | ms | |
待机模式 | ||||||
tEX_SB_DR_ANA | 退出待机状态后驱动电机所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式) VSPEED > VEX_SB,禁用 ISD 检测 |
6 | ms | ||
tEX_SB_DR_PWM | 退出待机状态后驱动电机所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) VSPEED > VIH,禁用 ISD 检测 |
6 | ms | ||
tDET_SB_ANA | 检测待机命令所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 00b(模拟模式) VSPEED < VEN_SB |
0.5 | 1 | 2 | ms |
tEN_SB_PWM | 检测待机命令所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 00b |
0.035 | 0.05 | 0.065 | ms |
SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 01b |
0.14 | 0.2 | 0.26 | ms | ||
SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 10b |
14 | 20 | 26 | ms | ||
SPD_CTRL_MODE = 01b(PWM 模式) VSPEED < VIL,SLEEP_TIME = 11b |
140 | 200 | 260 | ms | ||
tEN_SB_DIG | 检测待机命令所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 10b(I2C 模式),DIGITAL_SPEED_CTRL = 0b | 1 | 2 | ms | |
tEN_SB_FREQ | 检测待机命令所需的时间 | SPD_CTRL_MODE = 11b(频率模式),VSPEED < VIL | 4000 | ms | ||
tEN_SB | 检测到待机命令后停止驱动电机所需的时间 | VSPEED < VEN_SL(模拟模式)或 VSPEED < VIL(PWM 模式或频率模式)或 DIGITAL_SPEED_CTRL = 0b(I2C 模式) | 1 | 2 | ms | |
逻辑电平输入(BRAKE、DIR、EXT_CLK、EXT_WD、SCL、SDA、SPEED) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | AVDD = 3V 至 3.6V | 0.25*AVDD | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压 | AVDD = 3V 至 3.6V | 0.65*AVDD | V | ||
VHYS | 输入迟滞 | 50 | 500 | 800 | mV | |
IIL | 输入逻辑低电平电流 | AVDD = 3V 至 3.6V | -0.15 | 0.15 | µA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流 | AVDD = 3V 至 3.6V | -0.4 | 0.15 | µA | |
RPD_SPEED | 输入下拉电阻 | SPEED 引脚至 GND | 0.6 | 1 | 1.4 | MΩ |
开漏输出(nFAULT、FG) | ||||||
VOL | 输出逻辑低电平电压 | IOD = -5mA | 0.4 | V | ||
IOZ | 输出逻辑高电平电流 | VOD = 3.3V | 0 | 0.5 | µA | |
I2C 串行接口 | ||||||
VI2C_L | 低电平输入电压 | -0.5 | 0.3*AVDD | V | ||
VI2C_H | 高电平输入电压 | 0.7*AVDD | 5.5 | V | ||
VI2C_HYS | 迟滞 | 0.05*AVDD | V | |||
VI2C_OL | 低电平输出电压 | 2mA 灌电流漏极开路 | 0 | 0.4 | V | |
II2C_OL | 低电平输出电流 | VI2C_OL = 0.6V | 6 | mA | ||
II2C_IL | SDA 和 SCL 上的输入电流 | -102 | 102 | µA | ||
Ci | SDA 和 SCL 的电容 | 10 | pF | |||
tof | 从 VI2C_H(最小值)到 VI2C_L(最大值)的输出下降时间 | 标准模式 | 2503 | ns | ||
快速模式 | 2503 | ns | ||||
tSP | 必须由输入滤波器进行抑制的尖峰脉冲宽度 | 快速模式 | 0 | 504 | ns | |
振荡器 | ||||||
fOSCREF | 外部时钟基准 | EXT_CLK_CONFIG = 000b | 8 | kHz | ||
EXT_CLK_CONFIG = 001b | 16 | kHz | ||||
EXT_CLK_CONFIG = 010b | 32 | kHz | ||||
EXT_CLK_CONFIG = 011b | 64 | kHz | ||||
EXT_CLK_CONFIG = 100b | 128 | kHz | ||||
EXT_CLK_CONFIG = 101b | 256 | kHz | ||||
EXT_CLK_CONFIG = 110b | 512 | kHz | ||||
EXT_CLK_CONFIG = 111b | 1024 | kHz | ||||
EEPROM | ||||||
EEProg | 编程电压 | 1.35 | 1.5 | 1.65 | V | |
EERET | 保持 | TA = 25°C | 100 | 年 | ||
TJ = -40°C 至 150℃ | 10 | 年 | ||||
EEEND | 耐久性 | TJ = -40°C 至 150℃ | 1000 | 周期 | ||
TJ = -40°C 至 85℃ | 20000 | 周期 | ||||
保护电路 | ||||||
VUVLO | 电源欠压锁定 (UVLO) | VM 上升 | 4.3 | 4.4 | 4.5 | V |
VM 下降 | 4.1 | 4.2 | 4.3 | V | ||
VUVLO_HYS | 电源欠压锁定迟滞 | 上升至下降阈值 | 110 | 200 | 350 | mV |
tUVLO | 电源欠压抗尖峰脉冲时间 | 3 | 5 | 7 | µs | |
VOVP | 电源过压保护 (OVP) | 电源电压上升,OVP_EN = 1,OVP_SEL = 0 | 32.5 | 34 | 35 | V |
电源电压下降,OVP_EN = 1,OVP_SEL = 0 | 31.8 | 33 | 34.3 | V | ||
电源电压上升,OVP_EN = 1,OVP_SEL = 1 | 20 | 22 | 23 | V | ||
电源电压下降,OVP_EN = 1,OVP_SEL = 1 | 19 | 21 | 22 | V | ||
VOVP_HYS | 电源过压保护 (OVP) | 上升至下降阈值,OVP_SEL = 1 | 0.9 | 1 | 1.1 | V |
上升至下降阈值,OVP_SEL = 0 | 0.7 | 0.8 | 0.9 | V | ||
tOVP | 电源过压抗尖峰脉冲时间 | 2.5 | 5 | 7 | µs | |
VCPUV | 电荷泵欠压锁定(高于 VM) | 电源上升 | 2.25 | 2.5 | 2.75 | V |
电源下降 | 2.2 | 2.4 | 2.6 | V | ||
VCPUV_HYS | 电荷泵 UVLO 迟滞 | 上升至下降阈值 | 65 | 100 | 150 | mV |
VAVDD_UV | 模拟稳压器欠压锁定 | 电源上升 | 2.7 | 2.85 | 3 | V |
电源下降 | 2.5 | 2.65 | 2.8 | V | ||
VAVDD_UV_HYS | 模拟稳压器欠压锁定迟滞 | 上升至下降阈值 | 180 | 200 | 240 | mV |
IOCP | 过流保护跳变点 | OCP_LVL = 0b | 9.5 | 16 | 22 | A |
OCP_LVL = 1b | 15 | 24 | 28 | A | ||
tOCP | 过流保护抗尖峰脉冲时间 | OCP_DEG = 00b | 0.02 | 0.2 | 0.4 | µs |
OCP_DEG = 01b | 0.2 | 0.6 | 1.2 | µs | ||
OCP_DEG = 10b | 0.5 | 1.2 | 1.8 | µs | ||
OCP_DEG = 11b | 0.9 | 1.6 | 2.5 | µs | ||
tRETRY | 过流保护重试时间 | OCP_RETRY = 0 | 4 | 5 | 6 | ms |
OCP_RETRY = 1 | 425 | 500 | 575 | ms | ||
TOTW | 热警告温度 | 芯片温度 (TJ) | 135 | 145 | 155 | °C |
TOTW_HYS | 热警告迟滞 | 芯片温度 (TJ) | 15 | 20 | 25 | °C |
TTSD_BUCK | 热关断温度(降压) | 芯片温度 (TJ) | 170 | 180 | 190 | °C |
TTSD_BUCK_HYS | 热关断迟滞(降压) | 芯片温度 (TJ) | 15 | 20 | 25 | °C |
TTSD_FET | 热关断温度 (FET) | 芯片温度 (TJ) | 165 | 175 | 185 | °C |
TTSD_FET_HYS | 热关断迟滞 (FET) | 芯片温度 (TJ) | 20 | 25 | 30 | °C |