7.4 文档支持
以下文档介绍了 MCU。www.ti.com 网站上提供了这些文档的副本。
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勘误
用户指南
MSP430FR57xx 系列用户指南该器件系列提供的所有模块和 外设 的详细说明。
《使用引导加载程序 (BSL) 对 MSP430 进行编程》MSP430 引导加载程序（BSL，之前称为引导装载程序）方便用户在原型建模阶段、最终生产和维修期间与 MSP430 微控制器中的嵌入式存储器进行通信。可编程存储器（闪存）和数据存储器 (RAM) 能够按照要求进行变更。不要将此处的引导加载程序与某些数字信号处理器 (DSP) 中将外部存储器中的程序代码（和数据）自动加载到 DSP 内部存储器的引导装载程序混为一谈。
《通过 JTAG 接口对 MSP430 进行编程》本文档介绍了使用 JTAG 通信端口擦除、编程和验证基于 MSP430 闪存和 FRAM 的微控制器系列的存储器模块所需的功能。此外，该文档还描述了如何设定所有 MSP430 器件提供的 JTAG 访问安全熔丝。本文档介绍了使用标准 4 线 JTAG 接口和 2 线 JTAG 接口（也称为 Spy-Bi-Wire (SBW)）访问 MCU。
《MSP430 硬件工具用户指南》本手册介绍了 TI MSP-FET430 闪存仿真工具 (FET) 的硬件。FET 是针对 MSP430 超低功耗微控制器的程序开发工具。对提供的接口类型，即并行端口接口和 USB 接口进行了说明。
应用报告
MSP430 FRAM 技术 – 操作方法和最佳实践 FRAM 采用非易失性存储器技术，行为与 SRAM 类似，支持大量新 应用的同时，还改变了固件的设计方式。该应用程序报告从嵌入式软件开发方面概述了 FRAM 技术在 MSP430 中的使用方法和最佳实践。其中讨论了如何根据应用特定的代码、常量和数据空间要求来实施存储器布局，如何使用 FRAM 来优化应用程序能耗以及如何使用存储器保护单元 (MPU) 为程序代码提供意外写访问保护，从而最大程度提高应用的稳健性。
《MSP430 FRAM 质量和可靠性》 FRAM 是一种非易失性嵌入式存储器技术并因其超低功耗特性而广为人知，同时它也是当今较为灵活且易于使用的通用型存储器解决方案。该应用报告旨在为 FRAM 的新用户和从基于闪存的 应用 转化来的用户提供有关 FRAM 如何满足关键质量和可靠性要求（诸如数据保存和耐擦写能力）的知识。
《最大限度提高 MSP430™ FRAM 的写入速度》 非易失性低功耗铁电 RAM (FRAM) 支持极其高速的写访问。该应用报告重点围绕 MSP430FRxx 系列讨论了如何使用简单技术最大限度地提高 FRAM 的写入速度。该文档以 MSP430FR5739 器件为例进行了基准测试（这些测试适用于所有基于 MSP430™ FRAM 的器件），并且讨论了 CPU 时钟频率和块大小等方面的权衡以及它们如何影响 FRAM 写入速度。
《MSP430 系统级 ESD 注意事项》系统级 ESD 对于低电压下的硅晶技术以及经济高效型和超低功耗组件的需求日益增加。此应用报告重点讨论了三个不同的 ESD 主题，以帮助板卡设计师和原始设备制造商 (OEM) 理解和设计稳健的系统级设计米6体育平台手机版_好二三四：(1) 组件级 ESD 测试和系统级 ESD 测试，二者的差异以及为何组件级 ESD 无法确保达到系统级的稳健性。(2) 系统级 ESD 保护在不同电平下的通用设计指南（包括外壳、电缆、PCB 布局和板载 ESD 防护器件）。(3) 介绍了系统高效 ESD 设计 (SEED)。这是一种板上和片上 ESD 保护协同设计的方法论，用于实现系统级 ESD 的稳健性，配备仿真示例和测试结果。另外，还讨论了一些真实的系统级 ESD 保护设计示例及其成果。
MSP430 32kHz 晶体振荡器对于稳定的晶体振荡器，选择合适的晶振、正确的负载电路和适当的电路板布局布线至关重要。该应用报告总结了晶体振荡器的功能，介绍了为实现 MSP430 超低功耗运行而选择正确晶体的参数。此外，还给出了正确电路板布局布线的提示和示例。本文档还包含与可能振荡器测试相关的详细信息以确保大批量生产中的稳定振荡器运行。