ZHCSSC6A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 电气特性
      2. 7.15.2 开关特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 时序图
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C 滤波器
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 识别
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.9.5 高频晶体/时钟

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
高频晶体振荡器 (HFXT)
fHFXT HFXT 频率 HFXTRSEL=00 4 8 MHz
HFXTRSEL=01 8.01 16
HFXTRSEL=10 16.01 32
HFXTRSEL=11 32.01 48
DCHFXT HFXT 占空比 HFXTRSEL=00 40 65 %
HFXTRSEL=01 40 60
HFXTRSEL=10 40 60
HFXTRSEL=11 40 60
OAHFXT HFXT 晶体振荡容差 HFXTRSEL=00（4MHz 至 8MHz 范围） 2 kΩ
CL, eff 集成的有效负载电容(1) 1 pF
tstart, HFXT HFXT 启动时间(2) HFXTRSEL=11，32MHz 晶体 0.5 ms
IHFXT HFXT 电流消耗(2) fHFXT=4MHz，Rm=300Ω，CL=12pF 75 uA
fHFXT=48MHz，Rm=30Ω，CL=12pF，Cm=6.26fF，Lm=1.76mH 600
高频数字时钟输入 (HFCLK_IN)
fHFIN HFCLK_IN 频率 (3) USEEXTHFCLK=1 4 48 MHz
DCHFIN HFCLK_IN 占空比 (3) USEEXTHFCLK=1 40 60 %
(1) 这包括寄生接合和封装电容（每个引脚约为 2pF），计算公式为 CHFXIN×CHFXOUT/(CHFXIN+CHFXOUT)，其中 CHFXIN 和 CHFXOUT 分别是 HFXIN 和 HFXOUT 上的总电容。
(2) HFXT 启动时间 (tstart, HFXT) 是指从启用 HFXT 到典型晶体稳定振荡的时间。启动时间取决于晶体频率和晶体规格。请参阅 MSPM0 G 系列 80MHz 微控制器技术参考手册的“HFXT”部分。电流消耗随 RSEL 增大而增加，而启动时间随 RSEL 增大而减小。
(3) 数字时钟输入 (HFCLK_IN) 接受逻辑电平方波时钟。
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