ZHCSSC6A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 电气特性
      2. 7.15.2 开关特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 时序图
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C 滤波器
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 识别
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.7 闪存特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源
VDDPGM/ERASE 编程及擦除电源电压 1.62 3.6 V
IDDERASE 擦除操作期间从 VDD 获得的电源电流 电源电流差值 10 mA
IDDPGM 编程操作期间从 VDD 获得的电源电流 电源电流差值 10 mA
耐久性
NWEC(LOWER) 擦除/编程周期耐久性（下部 32kB 闪存）(1) 100 k 个周期
NWEC(UPPER) 擦除/编程周期耐久性（其余闪存）(1) 10 k 个周期
NE(MAX) 发生故障前的总擦除操作 (2) 802 K 擦除操作
NW(MAX) 在扇区擦除之前每个字线的写入操作 (3) 83 写入操作
保持
tRET_85 闪存数据保留 -40°C <= Tj <= 85°C 60 年
tRET_105 闪存数据保留 -40°C <= Tj <= 105°C 11.4 年
编程和擦除时序
tPROG (WORD, 64) 闪存字的编程时间 (4) (6) 50 275 µs
tPROG (SEC, 64) 1kB 扇区的编程时间(5)(6) 6.4 ms
tERASE (SEC) 扇区擦除时间 ≤2k 个擦除/编程周期，Tj ≥ 25°C 4 20 ms
tERASE (SEC) 扇区擦除时间 ≤10k 个擦除/编程周期，Tj ≥ 25°C 20 150 ms
tERASE (SEC) 扇区擦除时间 <10k 个擦除/编程周期 20 200 ms
tERASE (BANK) 组擦除时间 <10k 个擦除/编程周期 22 220 ms
(1) 下部 32kB 闪存地址空间支持更高的擦除/编程耐久性，从而实现 EEPROM 仿真应用。在具有 <=32kB 闪存的器件上，整个闪存支持 NWEC(LOWER) 个擦除/编程周期。
(2) 发生故障前闪存支持的累计擦除操作总数。一次扇区擦除或组擦除操作被视为一次擦除操作。
(3) 必须擦除字线之前、每个字线允许的最大写入操作数。如果需要对同一个字线执行额外的写入操作，则一旦达到每个字线的最大写入操作数，就需要执行扇区擦除。
(4) 编程时间定义为从触发编程命令到在闪存控制器中设置命令完成中断标志所需的时间。
(5) 扇区编程时间定义为从第一个字编程命令被触发到最后一个字编程命令完成并且在闪存控制器中设置中断标志所需的时间。该时间包括在扇区编程期间软件将每个闪存字（在第一个闪存字之后）加载到闪存控制器所需的时间。
(6) 闪存字大小为 64 个数据位（8 个字节）。在具有 ECC 的器件上，总闪存字大小为 72 位（64 个数据位加 8 个 ECC 位）。
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