ZHCSSC6A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 电气特性
      2. 7.15.2 开关特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 时序图
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C 滤波器
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 识别
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.15.1 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VCM 共模电压范围 RRI = 0x0 -0.1 VDD –1 V
RRI = 0x1 1 VDD-0.2
RRI = 0x2 -0.1 VDD-0.2
Iq 每个运算放大器的静态电流 IO= 0mA，RRI = 0x0 97 µA
IO= 0mA，RRI = 0x1 或 0x2 93
GBW 增益带宽积 CL = 200pF 0.32 MHz
VOS 输入失调电压 同相，单位增益，TA = 25℃，VDD = 3.3V CHOP = 0x0 ±0.2 ±6.5 mV
CHOP = 0x1 ±0.08 ±0.4
dVOS/dT 输入失调电压温漂 同相，单位增益 CHOP = 0x0 7.7 µV/°C
CHOP = 0x1 0.34
Ibias SoC 上多路复用 I/O 引脚的输入偏置 0.1V<Vin<VDD-0.3V，VDD = 3.3V，CHOP=0x0 TA = 25°C ±40 pA
TA = 125°C ±4000
0.1V <Vin < VDD-0.3V，VDD = 3.3V，CHOP = 0x1  TA = 25°C ±200
TA = 125°C ±4000
CMRRDC 共模抑制比（直流） 在共模电压范围内 CHOP = 0x0 48 77 dB
CHOP = 0x1 56 105
en 输入电压噪声密度 同相，单位增益 f = 1kHz 43 nV/√Hz
en f = 10kHz 19
Rin 输入电阻(1) 0.65 kΩ
Cin 输入电容 共模 4 pF
差分 2
AOL 开环电压增益（直流） RL = 350 kΩ，0.3V < Vo < VDD-0.3V 82 90 107 dB
PM 相补角 CL = 200pF，RL= 350kΩ 69 70 72 度
SR 压摆率 同相，单位增益，CL = 40pF 0.32 V/µs
THDN 总谐波失真 + 噪声 0.012 %
ILoad 输出负载电流 ±10 µA
CLoad 输出负载电容 200 pF
(1) Rin 这里指的是 GPAMP 中多路复用器的输入电阻。
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