ZHCSSC6A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 功能方框图
  6. 器件比较
  7. 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 电气特性
      2. 7.15.2 开关特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 时序图
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C 滤波器
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 识别
  10. 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

时序特性

VDD=3.3V,Ta=25℃(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
唤醒时间
tWAKE, SLEEP1 从 SLEEP1 到运行的唤醒时间 (1) 1.6 us
tWAKE, SLEEP2 从 SLEEP2 到运行的唤醒时间 (1) 2.2 us
tWAKE, STANDBY0 从 STANDBY0 到运行的唤醒时间 (1) 22.7 us
tWAKE, STANDBY1 从 STANDBY1 到运行的唤醒时间 (1) 22.7 us
tWAKE, STOP0 从 STOP0 到运行的唤醒时间(SYSOSC 启用)(1) 19.7 us
tWAKE, STOP1 从 STOP1 到运行的唤醒时间(SYSOSC 启用)(1) 21.2 us
tWAKE, STOP2 从 STOP2 到运行的唤醒时间(SYSOSC 禁用)(1) 20.5
tWAKEUP, SHDN 从关断到运行的唤醒时间 (2) 快速启动启用 250 us
快速启动禁用 270
异步快速时钟请求时序
tDELAY, SLEEP1 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 SLEEP1 0.34 us
tDELAY, SLEEP2 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 SLEEP2 0.95 us
tDELAY, STANDBY0 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 STANDBY0 3.1 us
tDELAY, STANDBY1 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 STANDBY1 3.2 us
tDELAY, STOP0 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 STOP0 1.0 us
tDELAY, STOP1 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 STOP1 2.4 us
tDELAY, STOP2 从异步请求的边沿到第一个 32MHz MCLK 边沿的延迟时间 模式为 STOP2 1.0 us
启动时序
tSTART, RESET 器件从复位/上电开始的冷启动时间 (3) 快速启动启用 271 us
快速启动禁用 318
NRST 时序
tRST, BOOTRST NRST 引脚上用于生成 BOOTRST 的脉冲长度 ULPCLK≥4MHz 1.5 us
ULPCLK=32kHz 100
tRST, POR NRST 引脚上用于生成 POR 的脉冲长度 1 s
唤醒时间是指从外部唤醒信号(GPIO 唤醒事件)的边沿到执行用户程序第一条指令所需的时间,其中干扰滤波器禁用 (FILTEREN=0x0) 且快速唤醒启用 (FASTWAKEONLY=1)。
唤醒时间是指从外部唤醒信号(IOMUX 唤醒事件)的边沿到执行用户程序第一条指令的时间。
启动时间是指从 VDD 超过 VBOR0-(冷启动)到执行用户程序第一条指令所需的时间。