ZHCSSC6A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 功能方框图
  6. 器件比较
  7. 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 电气特性
      2. 7.15.2 开关特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 时序图
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C 滤波器
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 识别
  10. 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIH 高电平输入电压 ODIO (1) VDD≥1.62V 0.7*VDD 5.5 V
VDD≥2.7V 2 5.5 V
除 ODIO 和复位以外的所有 I/O VDD≥1.62V 0.7*VDD VDD+0.3 V
VIL 低电平输入电压 ODIO VDD≥1.62V -0.3 0.3*VDD V
VDD≥2.7V -0.3 0.8 V
除 ODIO 和复位以外的所有 I/O VDD≥1.62V -0.3 0.3*VDD V
VHYS Hysteresis ODIO 0.05*VDD V
除 ODIO 以外的所有 I/O 0.1*VDD V
Ilkg 高阻态漏电流 SDIO(2)(3) 50 nA
RPU 上拉电阻 除 ODIO 以外的所有 I/O 40 kΩ
RPD 下拉电阻 40 kΩ
CI 输入电容 5 pF
VOH 高电平输出电压 SDIO VDD ≥ 2.7V,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 25°C
VDD-0.4 V
VDD ≥ 2.7V,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
VDD-0.45
HSIO VDD ≥ 2.7V,DRV = 1,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 1,|IIO|,max = 3mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 1,|IIO|,max = 2mA
-40°C ≤ Tj ≤ 25°C
VDD-0.4
VDD ≥ 2.7V,DRV = 1,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 1,|IIO|,max = 3mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 1,|IIO|,max = 2mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
VDD-0.4
VDD ≥ 2.7V,DRV = 0,|IIO|,max = 4mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 0,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 0,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 25°C
VDD-0.45
VDD ≥ 2.7V,DRV = 0,|IIO|,max = 4mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 0,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
VDD-0.45
HDIO VDD≥2.7V,DRV=1,|IIO|,max=20mA
VDD≥1.71V,DRV=1,|IIO|,max=10mA
VDD-0.4
VDD≥2.7V,DRV=0,|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V,DRV=0, |IIO|,max=2mA
VDD-0.4
VOL 低电平输出电压 SDIO VDD ≥ 2.7V,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 25°C
0.4 V
SDIO VDD ≥ 2.7V,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
0.45
HSIO VDD ≥ 2.7V,DRV = 1,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 1,|IIO|,max = 3mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 1,|IIO|,max = 2mA
Tj ≤ 85°C
0.4
HSIO VDD ≥ 2.7V,DRV = 1,|IIO|,max = 6mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 1,|IIO|,max = 3mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 1,|IIO|,max = 2mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
0.45
HSIO VDD ≥ 2.7V,DRV = 0,|IIO|,max = 4mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 0,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 0,|IIO|,max = 1.5mA
Tj ≤ 85°C
0.4
HSIO VDD ≥ 2.7V,DRV = 0,|IIO|,max = 4mA
VDD ≥ 1.71V,DRV = 0,|IIO|,max = 2mA
VDD ≥ 1.62V,DRV = 0,|IIO|,max = 1.5mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
0.45
HDIO VDD≥2.7V,DRV=1,|IIO|,max=20mA
VDD≥1.71V,DRV=1,|IIO|,max=10mA
0.4
HDIO VDD≥2.7V,DRV=0,|IIO|,max=6mA
VDD≥1.71V,DRV=0, |IIO|,max=2mA
0.4

ODIO

VDD ≥ 2.7V,IOL,max = 8mA
VDD ≥ 1.71V,IOL,max = 4mA
-40°C ≤ Tj ≤ 25°C
0.4

ODIO

VDD ≥ 2.7V,IOL,max = 8mA
VDD ≥ 1.71V,IOL,max = 4mA
-40°C ≤ Tj ≤ 130°C
0.45
I/O 类型:ODIO = 5V 容限开漏,SDIO = 标准驱动,HSIO = 高速
除非另有说明,漏电流是在将 VSS 或 VCC 施加到相应引脚的情况下测量的。
数字端口引脚的泄漏电流单独测量。为输入选择端口引脚,而且上拉/下拉电阻器被禁用。