ZHCSSB1A May 2023 – December 2023 MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
MSPM0Lxx MCU 包含一个低功耗高性能 SRAM 存储器，可在器件支持的 CPU 频率范围内实现零等待状态访问。SRAM 存储器可用于存储易失性信息，例如调用栈、堆、全局数据和代码。SRAM 存储器内容在运行、睡眠、停止和待机操作模式下完全保留，并在关断模式下丢失。提供了写保护机制，使应用能够防止意外修改 SRAM 存储器的部分内容。将可执行代码放入 SRAM 时，SRAM 写保护很有用，可针对 CPU 或 DMA 无意覆盖代码的行为提供一定程度的保护。将代码放置在 SRAM 中可以通过实现零等待状态操作和降低功耗来提高关键循环的性能。