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ZHCSSB1A May 2023 – December 2023 MSPM0L1304-Q1 , MSPM0L1305-Q1 , MSPM0L1306-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DGS|28
RHB|32
RGE|24
DYY|16
DGS|32
DGS|20

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcssb1a_oa

7.10.1 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
V_IH	高电平输入电压	ODIO ⁽¹⁾	V_DD ≥ 1.62V	0.7×V_DD		5.5	V
		ODIO ⁽¹⁾	V_DD ≥ 2.7V	2		5.5	V
		除 ODIO 和复位以外的所有 I/O	V_DD ≥ 1.62V	0.7×V_DD		V_DD+0.3	V
V_IL	低电平输入电压	ODIO	V_DD ≥ 1.62V	-0.3		0.3×V_DD	V
		ODIO	V_DD ≥ 2.7V	-0.3		0.8	V
		除 ODIO 和复位以外的所有 I/O	V_DD ≥ 1.62V	-0.3		0.3×V_DD	V
V_HYS	Hysteresis	ODIO		0.05×V_DD			V
V_HYS	Hysteresis	除 ODIO 以外的所有 I/O		0.1×V_DD			V
I_lkg	高阻态漏电流	SDIO⁽²⁾⁽³⁾				±50⁽⁴⁾	nA
R_PU	上拉电阻	除 ODIO 以外的所有 I/O			40		kΩ
R_PD	下拉电阻				40		kΩ
C_I	输入电容				5		pF
V_OH	高电平输出电压	SDIO	V_DD ≥ 2.7V，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤25°C	V_DD-0.4			V
		SDIO	V_DD ≥ 2.7V，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤130°C	V_DD-0.45
		HSIO	V_DD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 3mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 2mA -40°C ≤T_j≤25°C	V_DD-0.4
			V_DD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 3mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 2mA -40°C ≤T_j≤130°C	V_DD-0.4
			V_DD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 4mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤25°C	V_DD-0.45
			V_DD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 4mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤130°C	V_DD-0.45
V_OL	低电平输出电压	SDIO	V_DD ≥ 2.7V，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤25°C			0.4	V
		SDIO	V_DD ≥ 2.7V，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤130°C			0.45
		HSIO	V_DD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 3mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 2mA T_j≤85°C			0.4
			V_DD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 6mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 3mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 1，\|I_IO\|_,max = 2mA -40°C ≤T_j≤130°C			0.45
			V_DD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 4mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 1.5mA T_j≤85°C			0.4
			V_DD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 4mA V_DD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 2mA V_DD ≥ 1.62V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 1.5mA -40°C ≤T_j≤130°C			0.45
		ODIO	V_DD ≥ 2.7V，I_OL,max = 8mA V_DD ≥ 1.71V，I_OL,max = 4mA -40°C ≤T_j≤25°C			0.4
		ODIO	V_DD ≥ 2.7V，I_OL,max = 8mA V_DD ≥ 1.71V，I_OL,max = 4mA -40°C ≤T_j≤130°C			0.45

(1) I/O 类型：ODIO = 5V 容限开漏，SDIO = 标准驱动，HSIO = 高速

(2) 除非另有说明，否则漏电流是在将 VSS 或 V_DD 施加到相应引脚的情况下测量的。

(3) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚，而且上拉/下拉电阻器被禁用。

(4) 此值适用于 SDIO 不与任何模拟输入进行多路复用的情况。如果 SDIO 与模拟输入进行多路复用，则漏电流可高达 100nA。