ZHCSWB8A May 2024 – October 2024 MSPM0L1227 , MSPM0L1228 , MSPM0L2227 , MSPM0L2228
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源 | ||||||
VDDPGM/ERASE | 编程及擦除电源电压 | 1.62 | 3.6 | V | ||
IDDERASE | 擦除操作期间从 VDD 获得的电源电流 | 电源电流差值 | 10 | mA | ||
IDDPGM | 编程操作期间从 VDD 获得的电源电流 | 电源电流差值 | 10 | mA | ||
耐久性 | ||||||
NWEC(LOWER) | 擦除/编程周期耐久性(下部 32kB 闪存)(1) | 100 | k 个周期 | |||
NWEC(UPPER) | 擦除/编程周期耐久性(其余闪存)(1) | 10 | k 个周期 | |||
NE(MAX) | 发生故障前的总擦除操作 (2) | 802 | K 擦除操作 | |||
NW(MAX) | 在扇区擦除之前每个字线的写入操作 (3) | 83 | 写入操作 | |||
保持 | ||||||
tRET_85 | 闪存存储器数据保留 | -40°C <= Tj <= 85°C | 60 | 年 | ||
tRET_105 | 闪存存储器数据保留 | -40°C <= Tj <= 105°C | 11.4 | 年 | ||
编程和擦除时序 | ||||||
tPROG (WORD, 64) | 闪存字的编程时间 (4) (6) | 50 | 275 | µs | ||
tPROG (SEC, 64) | 1kB 扇区的编程时间(5)(6) | 6.4 | ms | |||
tERASE (SEC) | 扇区擦除时间 | <10k 个擦除/编程周期 | 20 | 200 | ms | |
tERASE (BANK) | 组擦除时间 | <10k 个擦除/编程周期 | 22 | 220 | ms |