ZHCSWB8A May 2024 – October 2024 MSPM0L1227 , MSPM0L1228 , MSPM0L2227 , MSPM0L2228
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
TI 建议将 10µF 和 0.1µF 的低 ESR 陶瓷去耦电容组合连接至 VDD 和 VSS 引脚。可以使用电容值较大的电容,但可能会影响电源轨斜升时间。去耦电容必须尽可能靠近其去耦的引脚的位置(几毫米范围内)。
NRST 复位引脚需要连接一个外部 47kΩ 上拉电阻器和一个 10nF 下拉电容器。
SYSOSC 频率校正环路 (FCL) 电路利用一个组装在 ROSC 引脚和 VSS 之间的外部 100kΩ 电阻器,通过为 SYSOSC 提供精密基准电流来稳定 SYSOSC 频率。该电阻器需要具有 0.1% 的精度,如果未启用 SYSOSC FCL,则不需要该电阻器。
对于支持外部晶体的器件,需要为晶体振荡器引脚使用外部旁路电容器。请参阅 MSPM0 L 系列 32MHz 微控制器技术参考手册,其中介绍了如何计算电容器的容值。
VCORE 引脚上需要连接一个 0.47μF 的电容器,并且该电容器需要靠近器件放置,与器件接地端之间的距离最小。
对于 5V 容限开漏 IO (ODIO),需要使用一个上拉电阻器来输出逻辑高电平信号。如果使用了 ODIO,那么这是实现 I2C 和 UART 功能所必需的。