ZHCSWB8A May 2024 – October 2024 MSPM0L1227 , MSPM0L1228 , MSPM0L2227 , MSPM0L2228
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
MSPM0 MCU 包含一个低功耗高性能 SRAM 存储器,可在器件支持的 CPU 频率范围内实现零等待状态访问。MSPM0 MCU 还提供受 ECC 保护、具有硬件奇偶校验且高达 128KB 的 SRAM。SRAM 存储器可用于存储易失性信息,例如调用栈、堆、全局数据和代码。SRAM 存储器内容在 RUN、SLEEP、STOP 和 STANDBY 模式下完全保留,并在关断模式下丢失。
提供了写入/执行互斥机制,以允许应用程序将 SRAM 分区为两个部分:读取/写入 (RW) 分区和读取/执行 (RX) 分区。RX 分区占用 SRAM 地址空间的上部。在将可执行代码放入 SRAM 时写保护很有用,因为它可以针对 CPU 或 DMA 无意覆盖代码提供一定程度的保护。将代码放置在 SRAM 中可以通过实现零等待状态操作和降低功耗来提高关键循环的性能。