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ZHCSWB8A May 2024 – October 2024 MSPM0L1227 , MSPM0L1228 , MSPM0L2227 , MSPM0L2228

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

RGZ|48
PM|64
PN|80
PT|48

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.11.1 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另外注明）。VDD 电源域中 SDIO 的所有规格也适用于 VBAT 电源域中的 LFSSIO。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
V_IH	高电平输入电压	ODIO ⁽¹⁾	VDD ≥ 1.62V	0.7*VDD		5.5	V
		ODIO ⁽¹⁾	VDD ≥ 2.7V	2		5.5	V
		除 ODIO 和复位以外的所有 I/O	VDD ≥ 1.62V	0.7*VDD		VDD+0.3	V
V_IL	低电平输入电压	ODIO	VDD ≥ 1.62V	-0.3		0.3*VDD	V
		ODIO	VDD ≥ 2.7V	-0.3		0.8	V
		除 ODIO 和复位以外的所有 I/O	VDD ≥ 1.62V	-0.3		0.3*VDD	V
V_HYS	迟滞	ODIO		0.05*VDD			V
V_HYS	迟滞	除 ODIO 以外的所有 I/O		0.1*VDD			V
I_lkg	高阻态漏电流	非 LCD 引脚 SDIO⁽²⁾⁽³⁾				50	nA
I_lkg	高阻态漏电流	除 PA12 以外的所有 LCD 引脚 SDIO⁽²⁾⁽³⁾				100	nA
I_lkg	高阻态漏电流	PA12 LCD 引脚 SDIO⁽²⁾⁽³⁾				300	nA
R_PU	上拉电阻	除 ODIO 以外的所有 I/O			40		kΩ
R_PD	下拉电阻				40		kΩ
C_I	输入电容				5		pF
V_OH	高电平输出电压	SDIO	VDD≥2.7V，\|I_IO\|_,max=6mA VDD≥1.71V，\|I_IO\|_,max=2mA T_j≤85°C	VDD-0.4			V
		SDIO	VDD≥2.7V，\|I_IO\|_,max=6mA VDD≥1.71V，\|I_IO\|_,max=2mA T_j≤85°C	VDD-0.45			V
		HDIO	VDD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|IIO\|,max = 20mA，VDD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|IIO\|,max = 10mA	VDD-0.4			V
		HDIO	VDD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|IIO\|,max = 6mA，VDD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|IIO\|,max = 2mA	VDD-0.45			V
V_OL	低电平输出电压	SDIO	VDD≥2.7V，\|I_IO\|_,max=6mA VDD≥1.71V，\|I_IO\|_,max=2mA T_j≤85°C			0.4	V
		SDIO	VDD≥2.7V，\|I_IO\|_,max=6mA VDD≥1.71V，\|I_IO\|_,max=2mA T_j>85°C			0.45
		HDIO	VDD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|IIO\|,max = 20mAVDD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|IIO\|,max = 10mA VDD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 6mAVDD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 2mA，T_j ≤ 85°C			0.4
		HDIO	VDD ≥ 2.7V，DRV = 1，\|IIO\|,max = 20mAVDD ≥ 1.71V，DRV = 1，\|IIO\|,max= 10mA VDD ≥ 2.7V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 6mAVDD ≥ 1.71V，DRV = 0，\|I_IO\|_,max = 2mA T_j>85°C			0.45
		ODIO	VDD≥2.7V，I_OL,max=8mA VDD≥1.71V，I_OL,max=4mA T_j≤85°C			0.4
		ODIO	VDD≥2.7V，I_OL,max=8mA VDD≥1.71V，I_OL,max=4mA T_j>85°C			0.45

(1) I/O 类型：ODIO = 5V 容限开漏，SDIO = 标准驱动，HDIO = 高驱动

(2) 除非另有说明，否则漏电流是在将 VSS 或 VDD 施加到相应引脚的情况下测量的。

(3) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚，而且上拉/下拉电阻器被禁用。