ZHCSEE4D December 2015 – August 2021 OPA191 , OPA2191 , OPA4191
PRODUCTION DATA
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RL = 10kΩ 且连接至 VS/2,且 CL = 100pF(除非另有说明)
说明 | 图表 |
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失调电压产生分布 | 图 6-1,图 6-2,图 6-3,图 6-4,图 6-5,图 6-6 |
失调电压漂移分配 | 图 6-7、图 6-8, |
失调电压与温度间的关系 | 图 6-9、图 6-10 |
失调电压与共模电压间的关系 | 图 6-11、图 6-12 |
失调电压与电源间的关系 | 图 6-13 |
开环增益和相位与频率间的关系 | 图 6-14 |
闭环增益和相位与频率间的关系 | 图 6-15 |
输入偏置电流与共模电压间的关系 | 图 6-16 |
输入偏置电流与温度间的关系 | 图 6-17 |
输出电压摆幅与输出电流间的关系(最大电源电压) | 图 6-18、图 6-19 |
CMRR 和 PSRR 与频率间的关系 | 图 6-20 |
CMRR 与温度间的关系 | 图 6-21 |
PSRR 与温度间的关系 | 图 6-22 |
0.1Hz 至 10Hz 噪声 | 图 6-23 |
输入电压噪声频谱密度与频率间的关系 | 图 6-24 |
THD+N 比与频率间的关系 | 图 6-25 |
THD+N 与输出幅度间的关系 | 图 6-26 |
静态电流与电源电压间的关系 | 图 6-27 |
静态电流与温度间的关系 | 图 6-28 |
开环增益与温度间的关系 | 图 6-29、图 6-30 |
开环输出阻抗与频率间的关系 | 图 6-31 |
小信号过冲与容性负载间的关系(输出阶跃为 100mV) | 图 6-32,图 6-33 |
无相位反转 | 图 6-34 |
过载恢复 | 图 6-35 |
小信号阶跃响应 (100mV) | 图 6-36、图 6-37 |
大信号阶跃响应 | 图 6-38, 图 6-39 |
建立时间 | 图 6-40、图 6-41、图 6-42、图 6-43 |
短路电流与温度间的关系 | 图 6-44 |
最大输出电压与频率间的关系 | 图 6-45 |
传播延迟上升沿 | 图 6-46 |
传播延迟下降沿 | 图 6-47 |
TA = 25°C |
TA = 85°C |
TA = -25°C |
TA = –40°C 至 +125°C,SOIC 封装 |
统计分布 |
30 个典型芯片 |
灌电流 |
RL = 10kΩ |
G = –1,100mV 输出阶跃 |
VS = ±18V, G = –10V/V |
G = –1,RL = 1kΩ,CL = 10pF |
G = –1,RL = 1kΩ,CL = 10pF |
增益 = 1,2V 阶跃,下降,t = 0µs 时施加阶跃 |
增益 = 1,5V 阶跃,下降,t = 0µs 时施加阶跃 |
TA = 125°C |
TA = 0°C |
TA = -40°C |
TA = 0°C 至 85°C,SOIC 封装 |
4 个典型芯片 |
拉电流 |
RL = 2kΩ |
G = 1,100mV 输出阶跃 |
G = 1,CL = 10pF |
G = 1,CL = 10pF |
增益 = 1,2V 阶跃,上升,t = 0µs 时施加阶跃 |
增益 = 1,5V 阶跃,上升,t = 0µs 时施加阶跃 |