9.2.3 JFET 输入低噪声放大器

Figure 51 显示了低噪声复合放大器，该放大器是通过添加 JFET 对（Q1 和 Q2）作为 OPA172-Q1 的输入前置放大器而构建的。晶体管 Q3 和 Q4 形成一个 2mA 电流接收器，用 1mA 漏极电流偏置每个 JFET。使用 3.9kΩ 漏极电阻器可在输入放大器中产生大约 10 倍的增益，使 JFET 对的极低宽带噪声频谱密度 Q1 和 Q2 成为放大器的主要噪声源。输入差分放大器的输出抗阻足够大，使 FET 输入放大器（如 OPA172-Q1）具有优于双极输入放大器的出色噪声性能。

复合放大器的增益由 Equation 3 确定。

所显示的电阻是 1% 的标准电阻值，可产生具有 68° 相补角的大约 100 (99.26) 倍的增益值。增益值小于 10 时可能需要采用额外补偿方法来确保稳定性。选择低电阻值以最大限度降低电阻器热噪声造成的总输出噪声。

Figure 51. JFET 输入低噪声放大器