ZHCSKN0E November   2019  – August 2022 OPA182 , OPA2182 , OPA4182

PRODMIX  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息:OPA182
    5. 7.5 热性能信息:OPA2182
    6. 7.6 热性能信息:OPA4182
    7. 7.7 电气特性
    8. 7.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 相位反转保护
      2. 8.3.2 输入偏置电流时钟馈通
      3. 8.3.3 EMI 抑制
      4. 8.3.4 电气过应力
      5. 8.3.5 支持多路复用器的输入
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应变仪模拟线性化
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 罗氏线圈积分器
      3. 9.2.3 系统示例
        1. 9.2.3.1 24 位 Δ-Σ 差分称重传感器或应变仪传感器信号调节
      4. 9.2.4 可编程电源
      5. 9.2.5 具有线性化功能的 RTD 放大器
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 10.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件(免费下载)
        3. 10.1.1.3 TI 参考设计
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 10.7 术语表
  11. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

详细设计过程

电桥传感器信号流模型如图 9-2 中所示。

GUID-2D2A81E7-642C-45D4-BD8A-2339B8225276-low.png图 9-2 电桥传感器信号流模型

电桥传感器被建模为乘法器,来自励磁电压和压力传感器的输入产生输出电压,该输出电压在公式 1 中给出:

Equation1. GUID-D215FB7F-FFCC-40ED-A0CF-913B5C3C9B7B-low.gif

Kp 是电桥传感器的灵敏度,通常以 mV/V 为单位指定。P 表示相对于传感器范围的压力,标准化为 0 到 1 的范围。使用信号流模型中给定的变量求解此方程,并求解 Vout,得到公式 2

Equation2. GUID-B5BE009C-5F68-4A4B-BF8D-A21161CDA151-low.gif

此公式有三个变量,VOS、G 和 Klin,需要三个公式来求解。要求解这些公式,需要传感器在空载、中量程和满载条件下的 Kp 值。使用这些值,系统可以线性化。

使用已知的 Kp 值,Klin 的计算如公式 3 所示:

Equation3. GUID-9E000C96-A21A-4F0C-A2DB-66B3EE487893-low.gif

在此公式中,Bv 表示电桥非线性,其计算方法如公式 4 所示:

Equation4. GUID-FB6309C4-991B-4980-BE8D-7406403CF01D-low.gif

Bv 根据传感器规格求解,然后使用该公式求解 Klin。接下来,使用公式 5公式 6 计算系统增益。

Equation5. GUID-905BFBCD-274F-44BC-A9FE-27DEF57AF0A1-low.gif
Equation6. GUID-094FEDEB-2830-4688-837C-86FAB4761862-low.gif

求解两个公式中的 VOS,并将结果合并到公式 7 中。

Equation7. GUID-68EBC831-7545-4DCB-9985-202883E7ABAF-low.gif

求解 G 给出了公式 8

Equation8. GUID-75DF601D-5730-4215-B158-D00F682A559B-low.gif

现在计算 Klin 和 G 后,VOS 的求解如公式 9 所示。

Equation9. GUID-2F2AE55D-46DA-4463-BB58-E3690149CFFB-low.gif

对于 KP 为 0.0003mV/V 的传感器,在空载、0.0017mV/V 中量程和 0.00289mV/V 时,相应的非线性约为 4%。求解 Klin、G 和 VOS 给出如表 9-1 中所示的值。

表 9-1 电桥计算示例
Klin0.173913
G323.8178
VOS-0.48573