ZHCSIQ4D September   2018  – December 2022 OPA2828 , OPA828

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  相位反转保护
      2. 7.3.2  电过应力
      3. 7.3.3  多路复用器友好型输入
      4. 7.3.4  过载功率限制器
      5. 7.3.5  噪声性能
        1. 7.3.5.1 低噪声
      6. 7.3.6  容性负载和稳定性
      7. 7.3.7  稳定时间
      8. 7.3.8  压摆率
      9. 7.3.9  全功率带宽
      10. 7.3.10 小信号响应
      11. 7.3.11 热关断
      12. 7.3.12 低失调电压温漂
      13. 7.3.13 过载恢复
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 SAR ADC 驱动器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 低通滤波器
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 散热注意事项
        2. 8.4.1.2 PowerPAD™ 设计注意事项(仅限 DGN 封装)
      2. 8.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 9.1.1.2 滤波器设计工具
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  10. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在 TA = 25°C、(V+) = 15V、(V–) = –15V、VCM = VO = 1/2 Vs,CL = 20pF,RL = 2kΩ 连接至 1/2 Vs(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 D 封装 ±50 ±300 µV
TA = 0°C 至 85°C ±350
TA=-40°C 至 +125°C ±400
DGN 封装 ±25 ±125
TA = 0°C 至 85°C ±175
TA = –40°C 至 125°C ±200
dVOS/dT 输入失调电压漂移 TA = 0°C 至 +85°C ±0.3 ±1.3 µV/°C
TA = -40°C 至 +125°C D 封装 ±0.45 ±1.5
DGN 封装 ±0.2 ±0.8
PSRR 电源抑制比 8 V ≤ VS ≤ 36 V 1.4 ±5.6 µV/V
TA = 0°C 至 85°C ±7
TA = -40°C 至 +125°C ±10
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 D 封装 ±1 ±8 pA
DGN 封装 ±0.2 ±5
TA = 0°C 至 85°C ±400
TA=-40°C 至 +125°C ±3 nA
IOS 输入失调电流 D 封装 ±1 ±8 pA
DGN 封装 ±0.2 ±5
TA = 0°C 至 85°C ±500
TA=-40°C 至 +125°C ±1.5 nA
噪声
EN 输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz,峰峰值 0.34 µVPP
f = 0.1Hz 至 10Hz,RMS 0.06 µVRMS
eN 输入电压噪声密度 f = 10Hz 7.5 nV/√Hz
f = 100Hz 4.8
f = 1kHz 4
iN 输入电流噪声密度 f = 1kHz 1.2 fA/√Hz
输入电压
VCM 共模电压 (V–) + 2.5 (V+) – 3.5 V
CMRR 共模抑制比 (V–) + 2.5V < VCM < (V+) – 3.5V D 封装 108 115 dB
DGN 封装 103 108 dB
(V–) + 2.5V < VCM < (V+) – 3.5V,
TA = 0°C 至 85°C
D 封装 105 dB
DGN 封装 102 dB
(V–) + 2.5V < VCM < (V+) – 3.5V,
TA = –40°C 至 +125°C
D 封装 103 dB
DGN 封装 100 dB
输入阻抗
ZID 差分 1012 || 6 Ω || pF
ZICM 共模 1012 || 9 Ω || pF
开环增益
AOL 开环电压增益 (V–) + 1.6V< VO < (V+) – 1.6V,RL = 600Ω 120 130 dB
(V–) + 1.5V < VO < (V+) – 1.5V,RL = 10kΩ 120 130
TA = 0°C 至 85°C (V–) + 1.6V< VO < (V+) – 1.6V,RL = 600Ω 117
(V–) + 1.5V < VO < (V+) – 1.5V,RL = 10kΩ 118
TA=-40°C 至 +125°C (V–) + 1.6V< VO < (V+) – 1.6V,RL = 600Ω 114
(V–) + 1.5V < VO < (V+) – 1.5V,RL = 10kΩ 114
频率响应
单位增益频率 VO = 10mVPP,CL = 30pF 45 MHz
相位裕度 VO = 10mVPP,CL = 30pF 57
GBW 增益带宽积 VO = 10mVPP,CL = 30pF 45 MHz
SR 压摆率 VO = 10V 阶跃 G = +1 150 V/µs
G = –1 150
tS 稳定时间(输入到输出) VO = 10V 阶跃,CL = 30pF,G = –1 至 ±0.0244%
(12 位精度)
110 ns
至 ±0.0061%
(14 位精度)
120
过冲 VO = 100mV 阶跃,G =+1、CL = 30pF VO = 100mV 阶跃,
G =+1,CL = 30pF
8%
过载恢复时间 G = -10 55 ns
THD+N 总谐波失真 + 噪声 VO = 3.5VRMS、G = +1、
f = 1kHz
RL = 10kΩ 0.000028 %
–130 dB
RL = 600Ω 0.000028 %
–130 dB
HD2 二阶谐波失真 VO = 5VPP、G = +1 f = 100kHz 119 dBc
f = 500 kHz 90
HD3 三阶谐波失真 VO = 5VPP、G = +1 f = 100kHz 125 dBc
f = 500 kHz 105
IMD 二阶互调失真 SMPTE/DIN 双音,4:1(60Hz 和 7kHz),G = 1,
VO = 3VRMS,RL = 2kΩ,9kHz 测量带宽
132 dB
三阶互调失真 CCIF 双频(19kHz 和 20kHz),G = 1,
VO = 3VRMS、RL = 2kΩ、90kHz 测量带宽
137 dB
输出
输出电压摆幅 RL = 10kΩ 0.9 1.2 V
RL = 600Ω 1.2
IO 输出电流 在线性运行的情况下,AOL ≥120dB ±30 mA
ISC 短路电流 ±50 mA
CL 容性负载驱动 请参阅“典型特性”曲线 pF
ZO 开环输出阻抗 f = 1MHz,IO = 0mA 13.5 Ω
电源
IQ 静态电流(每个放大器)   IO = 0A 5.5 6.2 mA
TA = 0°C 至 85°C 7.1
TA=-40°C 至 +125°C 7.9